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公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN100461475C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN102386295B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110251962.0
申请日：2011-08-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。
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公开(公告)号：CN102842657A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210205978.2
申请日：2012-06-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。
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公开(公告)号：CN101800170B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910265539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/12 , C30B25/18
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/045
Abstract: 提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第III族氮化物半导体。调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208510A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110081860.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。
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公开(公告)号：CN101355131A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134757.4
申请日：2008-07-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga－极性C－面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R－面蓝宝石衬底上形成n－接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In0.1Ga0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n－覆盖层、由交替堆叠的In0.25Ga0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p－型Al0.3Ga0.7N层和p－In0.08Ga0.92N层的多层结构制成的p－覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p－GaN层的堆叠结构制成的p－接触层(厚度：约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c－轴的厚度方向的n－接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C－面的侧壁，由此在负电极和每个C－面侧壁之间建立欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102208510B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110081860.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。
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公开(公告)号：CN101355129A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810132092.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/42
Abstract: 一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括极性反转层，其包括具有凸部的表面；和形成在所述极性反转层上的透明电极。该极性反转层可具有不小于1×1020原子/cm3的镁浓度或不小于2×1020原子/cm3且不大于5×1021原子/cm3的镁浓度。该极性反转层可由镁掺杂的AlxGa1－xN(0≤x＜1)形成。
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公开(公告)号：CN103367572B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310085493.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。
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