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公开(公告)号：CN105671639B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510849405.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。
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公开(公告)号：CN103125028B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180046381.1
申请日：2011-07-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜和反射膜来制造样品(A)。通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜、反射膜以及SiO2的第二绝缘膜来制造样品(B)。在两个样品(A)和样品(B)中，在热处理之前和热处理之后，在450nm的波长下测量反射膜的反射率。在600℃下进行三分钟的热处理。如图1所示，在Al具有1？至30？厚度的Al/Ag/Al中、在Al具有20？厚度的Ag/Al中以及在Al具有20？厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al中，反射率是95％或更大，其等于或高于Ag的反射率，甚至在热处理之后也是如此。
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公开(公告)号：CN102544258A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110398032.8
申请日：2011-11-30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件，不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成，该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18)，次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出，其前端(22a)被压扁并扩展，与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。
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公开(公告)号：CN106480492B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610727174.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 守山实希
Abstract: 本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。
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公开(公告)号：CN101393958B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810211537.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物基化合物半导体发光器件。本发明提供了一种不需要外部恒流电路的GaN基半导体发光器件。本发明的发光器件包含：蓝宝石衬底；在衬底上形成的AlN缓冲层；和在缓冲层上形成的HEMT结构，该HEMT结构包含GaN层和Al0.2Ga0.8N层。在Al0.2Ga0.8N层上依次形成n-GaN层、包含InGaN阱层和AlGaN势垒层的MQW发光层以及p-GaN层。在Al0.2Ga0.8N层的露出部分上形成源电极和HEMT/LED连接电极。HEMT/LED连接电极用作相应的漏极和用于将电子注入n-GaN层中的电极。在p-GaN层的顶面上形成ITO透明电极，并且在透明电极的顶面的一部分上形成金衬垫电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101099227A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001819.3
申请日：2006-01-06
Applicant: 丰田合成株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: C23C14/08 , C23C30/00 , G02F1/09 , H01L21/28264 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L33/42
Abstract: 本发明鉴于目前正期待着适用范围大的透明电极材料以及磁性材料这一状况，提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。所述的功能元件具有AlxGayInzN和在所述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO2。根据本发明，可以得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性膜而构成的功能元件。
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公开(公告)号：CN107794567B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710786253.X
申请日：2017-09-04
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明公开了用于制造III族氮化物半导体的方法。为了减少在通过助熔剂法生长III族氮化物半导体中的未生长区域或异常晶粒生长区域。籽晶基底具有III族氮化物半导体层形成在作为基底的底层基底上并且在III族氮化物半导体层上形成有掩模的结构。所述掩模具有以等边三角形格子图案的多个点状窗口。通过助熔剂法在籽晶基底上生长III族氮化物半导体。将碳设置在保持籽晶基底和熔融混合物的坩埚的盖上使得在晶体生长开始时碳与熔融混合物不接触，因此，随着时间的推移，将碳逐渐加入至熔融混合物中。因此，在籽晶基底上生长的III族氮化物半导体晶体中未生长区域或异常晶粒生长区域减少。
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公开(公告)号：CN107794567A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710786253.X
申请日：2017-09-04
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明公开了用于制造III族氮化物半导体的方法。为了减少在通过助熔剂法生长III族氮化物半导体中的未生长区域或异常晶粒生长区域。籽晶基底具有III族氮化物半导体层形成在作为基底的底层基底上并且在III族氮化物半导体层上形成有掩模的结构。所述掩模具有以等边三角形格子图案的多个点状窗口。通过助熔剂法在籽晶基底上生长III族氮化物半导体。将碳设置在保持籽晶基底和熔融混合物的坩埚的盖上使得在晶体生长开始时碳与熔融混合物不接触，因此，随着时间的推移，将碳逐渐加入至熔融混合物中。因此，在籽晶基底上生长的III族氮化物半导体晶体中未生长区域或异常晶粒生长区域减少。
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公开(公告)号：CN106480492A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610727174.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 守山实希
Abstract: 本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。
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公开(公告)号：CN105671639A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510849405.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。
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