-
公开(公告)号：CN106645216A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611031477.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 中国航天标准化研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
CPC classification number: G01N23/00 , G01N2223/632
Abstract: 本发明提供了一种绝缘材料在轨性能退化的预测方法，包括如下步骤：提供辐射源及绝缘材料；用所述辐射源对所述绝缘材料进行辐照；对所述绝缘材料进行特征性能测试，获得特征曲线；对所述绝缘材料进行空间环境模拟计算，获得所述绝缘材料在预计寿命内的累积电离吸收剂量；根据所述累积电离吸收剂量在所述特征曲线内查找所述绝缘材料对应的特征性能参数值，预测所述绝缘材料在轨性能退化状况。本发明建立了合理统一的机电元件用绝缘材料在轨性能退化的预测方法，支撑航天工程星箭系统配套电线电缆、继电器、电连接器元件的考核评价工作，对航天器寿命预测和可靠性研究有着重要的意义。
-
公开(公告)号：CN108346693A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136618.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm；并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
-
公开(公告)号：CN119355480A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411809071.6
申请日：2024-12-10
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于β值退化的晶体管可靠寿命预测方法，晶体管可靠寿命预测是基于失效物理模型的，与基于数理统计的传统可靠寿命预测方法相比，能够从晶体管微观失效物理入手，更加精准的反映晶体管的敏感参数退化情况，从而提高晶体管可靠寿命预测的精准度；晶体管可靠寿命预测考虑了敏感参数β的初始分布，更加符合晶体管外特性参数的实际情况，并基于此给出了指定可靠度下的寿命预测，对于晶体管的工程应用更加具有指导意义。
-
公开(公告)号：CN118693008A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410723628.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: H01L23/34 , H01L23/427
Abstract: 本发明提出一种电子芯片温度调控结构及其温度调控方法，其结构包括：半导体材料基芯片、加热电阻、温度传感器、金属外壳及回液柱，其中：加热电阻、温度传感器集成在芯片上或芯片所处的散热结构金属基蒸发面上；金属外壳呈凹形，其凹底装配有回液柱，回液柱周围烧结金属粉末形成吸液芯结构；芯片的背面与金属外壳形成空腔，内灌充工质；加热电阻与温度传感器与外部控制器相连。外部控制器接收温度测量信息，当温度超过阈值则对加热电阻加电、使其对内部工质加热；工质吸收热量转变为气相，接触到金属壳体及回液柱后冷凝转为液态，将热量传导出去。本发明具有低功耗、可实现多工况下自适应高效温度调节的优点，并且与芯片的常规封装方式可兼容。
-
公开(公告)号：CN113109645A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113092200A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110277641.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01N1/28 , G01N1/32 , G01N23/203
Abstract: 本发明涉及一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，包括：采用切割机或粗磨方式，切割或研磨样品，使样品观察区域裸露在外；采用热镶嵌方式将样品进行固定，除样品观察区域外，均被具有导电性的热镶嵌料包裹；采用粗磨砂纸，对样品观察区域进行研磨，在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头；采用金刚石磨盘并添加金刚石抛光液，对粗磨后的样品观察区域进行细磨，在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条。本发明采用物理制样，与现有化学腐蚀相比，在不破坏原有的晶粒形貌的基础上，更好的得到晶粒原始形貌，简便快捷的获取镍电极陶瓷电容器晶粒度。
-
公开(公告)号：CN119652431A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411819287.0
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国航天标准化研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子元器件S参数通用测试方法，包括仪器连接、网络分析仪设置、网络分析仪校准、测试夹具校准(去嵌入)、待测件(DUT)测试等，本发明的方法可以克服S参数测试过程中的各类影响，包括网络分析仪系统误差的影响、夹具影响等，以便精准测量电子元器件的S参数。
-
-
公开(公告)号：CN117031228A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310770210.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/26 , G06F30/27 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种基于FEDformer模型的三极管可靠性分析方法，属于微电子技术领域；采集正常工作状态下的三极管的基区宽度、老化温度和工作电流；计算电流增益的变化Δβ；选取基区宽度、老化温度、电流增益的变化Δβ作为特征数据；进行异常值的处理；进行降噪处理；进行特征缩放处理；进行集合划分；建立FEDformer模型；获得高精度FEDformer模型；获得高精度FEDformer模型的最优参数；判断高精度FEDformer模型是否建立完成；将后续采集的基区宽度和老化温度作为高精度FEDformer模型的输入，后续根据电流增益的变化Δβ评判三极管的可靠性；本发明FEDformer模型总体上NRMSE减少了12.6％，改善可以超过20％，具有更好的建模性能，可靠性建模精度高。
-
公开(公告)号：CN113109645B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.039 seconds)
