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公开(公告)号：CN119644087A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411822165.7
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国航天标准化研究所
Inventor： 焦强 , 芮二明 , 田智文 , 韩福禹 , 苏二鹏 , 杨剑群
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT单粒子烧毁效应评价方法，适应各类GaN HEMT器件特点，可以对宇航用GaN HEMT器件的单粒子烧毁效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒GaN HEMT器件单粒子评估方法缺失问题。
