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公开(公告)号：CN113109645B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
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公开(公告)号：CN106568999A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610986061.9
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R15/22
CPC classification number: G01R15/22
Abstract: 本发明公开了一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法，包括：随机选择一个第一发光二级管；随机选择一个第一光敏三极管；当基于第一发光二级管和第一光敏三极管生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线不匹配时，重新选择第二发光二级管和/或重新选择第二光敏三极管，直至生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的发光二级管作为光电耦合器的输入端，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的光敏三极管作为光电耦合器的输出端。通过本发明可以准确得到符合电流传输比温度稳定性要求的发光二级管和光敏三极管，提高了光电耦合器电流传输比温度稳定性。
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公开(公告)号：CN119761020A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411848061.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请提供一种元器件产品详细规范的正向设计方法，该方法包括：获取生产厂目标和/或用户需求；根据生产厂目标和/或用户需求，确定元器件目标定义，元器件目标定义包括关键指标要求、质量可靠性要求、环境适应性要求、用户特殊要求中至少一种；根据元器件目标定义，进行初步设计，初步设计包括确定元器件的功能性能指标、检验项目及试验应力和判据要求；基于初步设计，制定元器件的详细规范草案；基于元器件的详细规范草案，确定可靠性摸底数据；根据可靠性摸底数据和元器件目标定义，确定元器件产品详细规范。该方案可以从产品源头进行系统性规划和差异化设计元器件产品详细规范。
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公开(公告)号：CN119355480A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411809071.6
申请日：2024-12-10
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于β值退化的晶体管可靠寿命预测方法，晶体管可靠寿命预测是基于失效物理模型的，与基于数理统计的传统可靠寿命预测方法相比，能够从晶体管微观失效物理入手，更加精准的反映晶体管的敏感参数退化情况，从而提高晶体管可靠寿命预测的精准度；晶体管可靠寿命预测考虑了敏感参数β的初始分布，更加符合晶体管外特性参数的实际情况，并基于此给出了指定可靠度下的寿命预测，对于晶体管的工程应用更加具有指导意义。
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公开(公告)号：CN102590659A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210021861.9
申请日：2012-01-31
Applicant: 中国航天标准化研究所
Inventor： 刘文宝
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种利用加速试验来评价电容器贮存寿命的方法，包括1)在被评价电容器中抽取一定数量样本，给每只电容器编号后测量并记录被测电容器的电容值，后随机分为若干组；2)取其中一组进行室温贮存试验，间隔一定时间取出一批样品测试并记录贮存后的电容值变化，得到室温贮存电容随时间变化曲线；步骤3)在不同温度下进行贮存试验，通过摸底试验确定合适的温度作为加速应力；4)在步骤3)确定的合适的较高温度下进行贮存试验，与步骤2)一样间隔一定时间测试并记录贮存后的电容值变化，得到高温下的贮存电容随时间变化曲线；5)利用曲线拟合，验证不同温度下变化趋势是否相同；6)进行数据分析，推算出常温下器件贮存寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109645A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
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公开(公告)号：CN113092200A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110277641.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01N1/28 , G01N1/32 , G01N23/203
Abstract: 本发明涉及一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，包括：采用切割机或粗磨方式，切割或研磨样品，使样品观察区域裸露在外；采用热镶嵌方式将样品进行固定，除样品观察区域外，均被具有导电性的热镶嵌料包裹；采用粗磨砂纸，对样品观察区域进行研磨，在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头；采用金刚石磨盘并添加金刚石抛光液，对粗磨后的样品观察区域进行细磨，在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条。本发明采用物理制样，与现有化学腐蚀相比，在不破坏原有的晶粒形貌的基础上，更好的得到晶粒原始形貌，简便快捷的获取镍电极陶瓷电容器晶粒度。
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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN102590660A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022049.8
申请日：2012-01-31
Applicant: 中国航天标准化研究所
Inventor： 刘文宝
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供评价电容器工作寿命的方法，包括1)在被评价电容器中抽取一定数量样本，给每只电容器编号后测量并记录被测电容器的电容值，后随机分为若干组；2)取其中一组进行恒温额定电流贮存试验，间隔一定时间取出一批样品测试并记录贮存后的电容值变化，得到恒温额定电流的贮存电容随时间变化曲线；步骤3)在不同电流下进行贮存试验，通过摸底试验确定合适的电流作为加速应力；4)在步骤3)确定的合适的较高电流下进行贮存试验，与步骤2)一样间隔一定时间测试并记录贮存后的电容值变化，得到高电流下的贮存电容随时间变化的曲线；5)利用曲线拟合验证不同电流下变化趋势是否相同；6)进行数据分析推算出额定电流下器件工作寿命。
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公开(公告)号：CN106568999B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610986061.9
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R15/22
Abstract: 本发明公开了一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法，包括：随机选择一个第一发光二级管；随机选择一个第一光敏三极管；当基于第一发光二级管和第一光敏三极管生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线不匹配时，重新选择第二发光二级管和/或重新选择第二光敏三极管，直至生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的发光二级管作为光电耦合器的输入端，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的光敏三极管作为光电耦合器的输出端。通过本发明可以准确得到符合电流传输比温度稳定性要求的发光二级管和光敏三极管，提高了光电耦合器电流传输比温度稳定性。
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