公开(公告)号：CN106568999A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610986061.9

申请日：2016-11-09

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 江理东 ,  芮二明 ,  刘文宝 ,  刘富品

IPC: G01R15/22

CPC classification number: G01R15/22

Abstract: 本发明公开了一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法，包括：随机选择一个第一发光二级管；随机选择一个第一光敏三极管；当基于第一发光二级管和第一光敏三极管生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线不匹配时，重新选择第二发光二级管和/或重新选择第二光敏三极管，直至生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的发光二级管作为光电耦合器的输入端，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的光敏三极管作为光电耦合器的输出端。通过本发明可以准确得到符合电流传输比温度稳定性要求的发光二级管和光敏三极管，提高了光电耦合器电流传输比温度稳定性。

公开(公告)号：CN119761020A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411848061.3

申请日：2024-12-16

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 季轩 ,  江理东 ,  刘文宝 ,  周宇 ,  田智文 ,  邱晨 ,  李昊 ,  邢前 ,  蔡娜 ,  朱旭斌

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本申请提供一种元器件产品详细规范的正向设计方法，该方法包括：获取生产厂目标和/或用户需求；根据生产厂目标和/或用户需求，确定元器件目标定义，元器件目标定义包括关键指标要求、质量可靠性要求、环境适应性要求、用户特殊要求中至少一种；根据元器件目标定义，进行初步设计，初步设计包括确定元器件的功能性能指标、检验项目及试验应力和判据要求；基于初步设计，制定元器件的详细规范草案；基于元器件的详细规范草案，确定可靠性摸底数据；根据可靠性摸底数据和元器件目标定义，确定元器件产品详细规范。该方案可以从产品源头进行系统性规划和差异化设计元器件产品详细规范。

公开(公告)号：CN106568999B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610986061.9

申请日：2016-11-09

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 江理东 ,  芮二明 ,  刘文宝 ,  刘富品

IPC: G01R15/22

Abstract: 本发明公开了一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法，包括：随机选择一个第一发光二级管；随机选择一个第一光敏三极管；当基于第一发光二级管和第一光敏三极管生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线不匹配时，重新选择第二发光二级管和/或重新选择第二光敏三极管，直至生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的发光二级管作为光电耦合器的输入端，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的光敏三极管作为光电耦合器的输出端。通过本发明可以准确得到符合电流传输比温度稳定性要求的发光二级管和光敏三极管，提高了光电耦合器电流传输比温度稳定性。

公开(公告)号：CN106645216A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611031477.1

申请日：2016-11-18

Applicant: 中国航天标准化研究所 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 江理东 ,  芮二明 ,  刘文宝 ,  王敬贤 ,  张伟 ,  李兴冀

IPC: G01N23/00

CPC classification number: G01N23/00 ,  G01N2223/632

Abstract: 本发明提供了一种绝缘材料在轨性能退化的预测方法，包括如下步骤：提供辐射源及绝缘材料；用所述辐射源对所述绝缘材料进行辐照；对所述绝缘材料进行特征性能测试，获得特征曲线；对所述绝缘材料进行空间环境模拟计算，获得所述绝缘材料在预计寿命内的累积电离吸收剂量；根据所述累积电离吸收剂量在所述特征曲线内查找所述绝缘材料对应的特征性能参数值，预测所述绝缘材料在轨性能退化状况。本发明建立了合理统一的机电元件用绝缘材料在轨性能退化的预测方法，支撑航天工程星箭系统配套电线电缆、继电器、电连接器元件的考核评价工作，对航天器寿命预测和可靠性研究有着重要的意义。

公开(公告)号：CN113092200A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110277641.1

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 焦强 ,  芮二明 ,  韩福禹 ,  刘文宝 ,  江理东

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N23/203

Abstract: 本发明涉及一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，包括：采用切割机或粗磨方式，切割或研磨样品，使样品观察区域裸露在外；采用热镶嵌方式将样品进行固定，除样品观察区域外，均被具有导电性的热镶嵌料包裹；采用粗磨砂纸，对样品观察区域进行研磨，在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头；采用金刚石磨盘并添加金刚石抛光液，对粗磨后的样品观察区域进行细磨，在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条。本发明采用物理制样，与现有化学腐蚀相比，在不破坏原有的晶粒形貌的基础上，更好的得到晶粒原始形貌，简便快捷的获取镍电极陶瓷电容器晶粒度。