公开(公告)号：CN108346693A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810136618.9

申请日：2018-02-09

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  中国航天标准化研究所

Inventor： 李兴冀 ,  唐昭焕 ,  王敬贤 ,  杨剑群 ,  刘文宝 ,  吴雪 ,  刘超铭 ,  芮二明 ,  易晓东

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm；并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。

公开(公告)号：CN119644087A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411822165.7

申请日：2024-12-11

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 焦强 ,  芮二明 ,  田智文 ,  韩福禹 ,  苏二鹏 ,  杨剑群

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT单粒子烧毁效应评价方法，适应各类GaN HEMT器件特点，可以对宇航用GaN HEMT器件的单粒子烧毁效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒GaN HEMT器件单粒子评估方法缺失问题。

公开(公告)号：CN103887330B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410136051.7

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国航天标准化研究所

Inventor： 李兴冀 ,  王敬贤 ,  刘超铭 ,  刘文宝 ,  杨剑群 ,  季轩 ,  田智文 ,  何世禹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。

公开(公告)号：CN103887330A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410136051.7

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国航天标准化研究所

Inventor： 李兴冀 ,  王敬贤 ,  刘超铭 ,  刘文宝 ,  杨剑群 ,  季轩 ,  田智文 ,  何世禹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7325 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。