片上集成激光雷达
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118068297A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410215495.3

    申请日:2024-02-27

    Abstract: 本公开提供一种片上集成激光雷达,包括:端面耦合器,用于将调制激光耦合进片上集成激光雷达,所述调制激光耦合进片上集成激光雷达后被分束为本振光和信号光;光学相控阵,用于改变所述信号光的相位从而实现光束偏转和扫描,以使信号光作用于目标后得到反射信号光;以及平衡接收及处理模块,用于接收经光学透镜聚焦后的反射信号光,并通过耦合复用的方式实现多通道平衡探测。

    激光主动探测装置及激光主动探测处置系统

    公开(公告)号:CN112269181A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202010956287.0

    申请日:2020-09-11

    Abstract: 本申请属于激光探测或感知技术领域,具体涉及一种激光主动探测装置及激光主动探测处置系统。本申请的激光主动探测装置包括光学收发单元、光电探测单元和光学扫描单元,光学收发单元用于发射并接收探测激光,从而获取场景和窃视目标的回波信号,光电探测单元用于将回波信号进行光电转换,从而获取窃视目标的距离、方位和强度以及场景的三维点云信息,光学扫描单元包括扫描转镜和探测水平转台,扫描转镜以可转动的方式反射探测激光,用于增大探测激光的发射角度和接收角度,探测水平转台用于带动激光主动探测装置整体进行转动。根据本申请的激光主动探测装置,能够增加探测激光的发射角度和接收角度,从而有效地增加探测激光的发射和接收范围。

    光波导与光敏芯片的异质集成光耦合结构和制备方法

    公开(公告)号:CN116594110A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310306479.0

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本公开提供一种光波导与光敏芯片的异质集成光耦合结构和制备方法,光波导与光敏芯片的异质集成光耦合结构包括:硅光芯片,包括:第一衬底,第一衬底上设置有凹槽;光波导,设置在第一衬底上,适用于接收输入的光信号;模斑转换器,设置在第一衬底上,模斑转换器的入光口与光波导连接,出光口与凹槽相邻设置,模斑转换器适用于扩大光信号的模场;微反射镜,设置在凹槽内,适用于对模斑转换器输出的光信号进行反射;光敏芯片,设置在凹槽上方,光敏芯片适用于吸收微反射镜反射后的光信号并转换为电信号输出;光刻胶键合层,设置在硅光芯片和光敏芯片之间,以将光敏芯片粘合在硅光芯片上,光刻胶键合层上位于光敏芯片的光敏区域开设有窗口。

    一种真随机编码单光子激光雷达及目标位置确定方法

    公开(公告)号:CN116148815A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310144173.X

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本发明提供了一种真随机编码单光子激光雷达,应用于激光雷达技术领域,包括:混沌光源产生混沌信号,分束器将其分成两束,得到参考信号和探测信号,第一单光子探测器探测参考信号生成两路参考随机序列,信号处理模块采集一路参考随机序列,调制器利用另一路参考随机序列对探测信号进行调制得到真随机脉冲序列,光收发系统对真随机脉冲序列进行光学整型,得到整型后的光信号,并接收回波信号,第二单光子探测器探测回波信号生成回波随机序列,信号处理模块采集回波随机序列,并基于回波随机序列和一路参考随机序列互相关提取目标的位置信息。本发明还提供了一种目标位置确定方法,可克服当前伪随机数编码或真随机数编码带宽受限问题。

    一种基于铁电场效应晶体管的存储装置及其制作方法

    公开(公告)号:CN119212395A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411375932.4

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本申请公开了一种基于铁电场效应晶体管的存储装置及其制作方法,该存储装置包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底一侧的底部选通晶体管;位于所述底部选通晶体管远离所述半导体衬底一侧的控制栅堆叠结构,所述控制栅堆叠结构包括:多层交错排布的栅极隔离层和栅电极层,所述控制栅堆叠结构中具有贯穿所述控制栅堆叠结构的第一通道孔;位于所述第一通道孔侧壁的栅叠层,所述栅叠层包括沿所述控制栅堆叠结构至所述第一通道孔方向层叠的电介质插层、铁电层和底部界面层;位于所述栅叠层远离所述控制栅堆叠结构一侧的第一沟道层和第一沟道隔离层;位于所述控制栅堆叠结构远离所述底部选通晶体管一侧的顶部选通晶体管。该存储装置具有较大的存储窗口。

    一种半导体器件及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117253913A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311470348.2

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法,包括衬底,所述衬底具有源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区;位于所述沟道区远离所述衬底一侧的铁电层,所述铁电层的材料为HfLaO;位于所述铁电层远离所述衬底一侧的栅金属层。HfLaO材料具有良好的快速极化切换的性能,切换脉冲较短,从而可以减少电荷的注入、抑制缺陷的产生,而且HfLaO材料具有较大的剩余极化,从而增大铁电场效应晶体管的存储窗口,进而实现疲劳特性的提升,提高铁电场效应晶体管的器件性能。

    片上异质集成调频连续波激光雷达系统及其探测方法

    公开(公告)号:CN118519119A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310153661.7

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本公开提供一种片上异质集成调频连续波激光雷达系统及其探测方法,该激光雷达系统包括:调频光源模块,用于输出调频连续波;光学相控阵发射模块,用于将调频连续波分为本振光和信号光,并利用信号光对目标物进行二维扫描;平衡相干探测模块,用于接收目标物反射的回波信号,并使回波信号与本振光进行干涉得到混频信号,对混频信号进行相干探测得到目标信号;信号处理模块(9),用于对目标信号进行处理得到目标物的距离和/或速度信息。本公开的激光雷达系统将调频连续波探测、光学相控阵体系和平衡相干探测相结合,实现远距离、高精度、强抗干扰性测距及成像。

    一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构

    公开(公告)号:CN116486863A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310544499.1

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 本发明提供一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构,包括:中央处理器和存储器;存储器包括:主存储器和存储级内存;存储级内存与主存储器通信连接,主存储器与中央处理器通信连接;存储级内存包含有多个第一晶体管,主存储器包含有多个第二晶体管,第一晶体管用于实现存储级内存的存储功能,第二晶体管用于实现主存储器的存储功能;第一晶体管和第二晶体管均为氧化铪基铁电场效应晶体管。本发明能够解决冯诺依曼架构中的存储墙问题。

    一种半导体器件及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116387161A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310506205.6

    申请日:2023-05-06

    Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法,该方法包括:提供衬底;在衬底的源漏区域之间生长界面层;在界面层远离衬底的一侧生长ScAlN层;在ScAlN层远离衬底的一侧生长栅电极。从而在本申请中,将铁电材料设置成掺Sc的AlN材料,可以根据Sc的掺杂浓度来显著的调节ScAlN铁电材料的自发极化强度,通过减小自发极化强度能够极大的减低界面层电场,从而减小缺陷的产生和电荷的注入,有利于实现半导体器件疲劳特性的提升。

    相干光接收芯片
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116318428A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310304857.1

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本公开提供了一种相干光接收芯片,包括:硅光单元,包括:第一衬底;以及多个相干光接收模块,沿第一方向依次间隔设置在第一衬底上,每个相干光接收模块包括:光栅接收天线组件,包括沿垂直于第一方向的第二方向依次间隔设置的多个光栅接收天线,每个光栅接收天线适用于接收探测目标反射的相干光信号,不同的光栅接收天线接收的相干光信号的入射角度不同,同一时刻至多有一个光栅接收天线接收相干光信号;多路复用器,适用于接收光栅接收天线组件输出的相干光信号;以及相干定向耦合器,适用于将来自于多路复用器的相干光信号和本振光信号进行相干混频产生混频光信号;多对光电探测器,适用于将接收的混频光信号转化为拍频电信号。

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