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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1365136A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法,包括如下制备步骤:(1)用一衬底,使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直;(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板;(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜,在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN1154155C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法，包括如下制备步骤：(1)用一衬底，使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直；(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜，在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN1133217C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件的制造方法，包括：在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p-n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气)，以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如：发光二极管，面输出的激光二极管等)具有光输出效率高，整个发光面发光均匀，避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极，或减少了器件的厚度，以及由此带来制作成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN1316782A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN00105756.1
申请日：2000-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化物半导体器件，其中包含：在绝缘衬底上生长氮化物缓冲层，在其上并与其相接触具有增强平行于PN结平面电子迁移率的又具有与负电极金属形成低阻欧姆接触功能的氮化物半导体多重异质及掺杂结构层构成的负电极n型复合接触层。其具有新结构的氮化物半导体器件，这种结构的氮化物半导体器件的串联电阻低发光效率高。
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公开(公告)号：CN1338783A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,包括:在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p－n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气),以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如:发光二极管,面输出的激光二极管等)具有光输出效率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的优点。
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