公开(公告)号：CN105932106B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201610361608.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  于海龙 ,  吴浩越 ,  徐云 ,  朱海军

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。

公开(公告)号：CN106684180A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611180940.9

申请日：2016-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  吴浩越 ,  李健 ,  江宇 ,  于海龙 ,  付东 ,  徐云 ,  朱海军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18

Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。

公开(公告)号：CN106684180B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201611180940.9

申请日：2016-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  吴浩越 ,  李健 ,  江宇 ,  于海龙 ,  付东 ,  徐云 ,  朱海军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。

公开(公告)号：CN108109904A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711335666.2

申请日：2017-12-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈岩 ,  徐云 ,  韦欣 ,  李健 ,  陈华民 ,  朱海军 ,  宋国峰

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，该制备方法包括：对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发，蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上，在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结晶从而生长出纳米线状砷化镉。本发明的制备方法操作简单、成本低廉、安全可靠并且可以在一定程度上控制纳米线状砷化镉的形貌。

公开(公告)号：CN105932106A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610361608.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  于海龙 ,  吴浩越 ,  徐云 ,  朱海军

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1844

Abstract: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。