公开(公告)号：CN105118886A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510547504.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈良惠 ,  李慧梅 ,  李晓敏 ,  李健 ,  于海龙 ,  宋国峰 ,  徐云

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/1892

Abstract: 本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN105006450A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510548646.8

申请日：2015-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  白霖 ,  徐云 ,  李晓敏

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法，该制备方法包括：铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS；将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带；预拉伸胶带回缩；利用半导体工艺技术，在LED外延片上形成同面电极开口LED单元排布成的阵列；将通过胶带回缩形成的褶皱石墨烯转移到形成LED单元阵列的外延片上；胶带的去除；石墨烯的图形化；与石墨烯接触金属的生长，图形化和电极引出；对LED表面进行柔性封装；柔性封装后去除LED的衬底，对LED背面进行柔性封装。本发明制备的用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列，具有可延展性强，电阻和光强对形变灵敏，出光效率高等特点。

公开(公告)号：CN105609589B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201610065321.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐云 ,  宋国峰 ,  李晓敏 ,  江宇 ,  王磊 ,  白霖

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  H01L21/306 ,  B81C1/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括：生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。

公开(公告)号：CN105609589A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610065321.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐云 ,  宋国峰 ,  李晓敏 ,  江宇 ,  王磊 ,  白霖

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  H01L21/306 ,  B81C1/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  B81C1/00 ,  C23C16/44 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617

Abstract: 本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括：生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。

公开(公告)号：CN105489716A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610006965.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  李晓敏 ,  徐云 ,  江宇 ,  白霖

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法，包括：在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片，光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜，刻蚀至LED外延片下接触层；光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层；形成图形化的金属图形，退火合金化之后形成欧姆接触；刻蚀环型下台面，暴露出牺牲层；腐蚀牺牲层并钻蚀一定长度；旋涂柔性聚合物材料；刻蚀内环和部分金属电极上方覆盖的聚合物材料，暴露出部分金属电极以制备金属互连；金属溅射并进行图形化处理制备LED单元互联；旋涂柔性聚合物材料；暴露出内环牺牲层；腐蚀剩余的牺牲层；剥离柔性聚合物包裹的无机LED阵列，完成无机柔性LED阵列的制备。

公开(公告)号：CN105006450B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510548646.8

申请日：2015-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  白霖 ,  徐云 ,  李晓敏

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法，该制备方法包括：铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS；将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带；预拉伸胶带回缩；利用半导体工艺技术，在LED外延片上形成同面电极开口LED单元排布成的阵列；将通过胶带回缩形成的褶皱石墨烯转移到形成LED单元阵列的外延片上；胶带的去除；石墨烯的图形化；与石墨烯接触金属的生长，图形化和电极引出；对LED表面进行柔性封装；柔性封装后去除LED的衬底，对LED背面进行柔性封装。本发明制备的用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列，具有可延展性强，电阻和光强对形变灵敏，出光效率高等特点。

公开(公告)号：CN105489716B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201610006965.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宋国峰 ,  李晓敏 ,  徐云 ,  江宇 ,  白霖

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法，包括：在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片，光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜，刻蚀至LED外延片下接触层；光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层；形成图形化的金属图形，退火合金化之后形成欧姆接触；刻蚀环型下台面，暴露出牺牲层；腐蚀牺牲层并钻蚀一定长度；旋涂柔性聚合物材料；刻蚀内环和部分金属电极上方覆盖的聚合物材料，暴露出部分金属电极以制备金属互连；金属溅射并进行图形化处理制备LED单元互联；旋涂柔性聚合物材料；暴露出内环牺牲层；腐蚀剩余的牺牲层；剥离柔性聚合物包裹的无机LED阵列，完成无机柔性LED阵列的制备。