-
公开(公告)号：CN106711252A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611060442.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种包含缓冲层的外延结构，包括衬底、基本缓冲层、阶梯渐变缓冲叠层和渐变缓冲层，该结构是通过在阶梯渐变缓冲叠层之间生长线性渐变缓冲层来实现降低异变材料表面粗糙度，增加异变材料结晶质量的目的，线性渐变层的厚度控制在50nm以内。由于在阶梯渐变缓冲叠层之间生长了线性渐变缓冲层，无需在生长过程中对源进行中断，从而使生长更易于操控，成本低，有利于生产。本发明还提供了一种包含缓冲层的外延结构生长的方法。
-
公开(公告)号：CN105573010A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610113157.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02F1/35 , B82Y40/00 , G01N21/658
Abstract: 本发明公开了一种能够实现表面增强相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的纳米结构，该结构包括：衬底层1和非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2。非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2的每个单元包含一个直径为200nm，高40nm的Au纳米圆盘和一个外半径为100nm，内半径为50nm，高为40nm的Au纳米圆环，两个纳米粒子相互紧挨。该发明的结构可以使相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)的信号得到显著增强。
-
公开(公告)号：CN104882787B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510300471.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法，包括：(1)外延片准备；(2)台面制备；(3)湿法氧化；(4)P面生长SiO2；(5)制作隔离窗口；(6)P面制作电极；(7)N面减薄；(8)N面生长SiO2；(9)N面SiO2腐蚀；(10)N面套刻及溅射金属；(11)管芯制作；(12)纳米结构制备；(13)测试。本发明的表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器的制造方法能够实现在某些波长的底发射垂直腔面发射激光器上实现表面等离子体调制，补充了表面等离子体调制垂直腔面激光器在倒装方面的空白，使全波长段都能实现微纳结构的表面等离子体调制。
-
公开(公告)号：CN103823276A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086632.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关，该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导，其中：输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中；一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一维光子晶体透射谱来调控由输入光波导引入的入射光的透射特性，进而选择入射光的透射波长；输出光波导用于引出一维光子晶体光栅薄膜结构的输出光。本发明利用电场改变光子晶体中液晶材料在光传播方向的折射率张量来调节出射光的开和关的状态。本发明的光子晶体结构液晶光开关可用于集成度较高的光互联芯片中，并且具有结构简单，光损耗低，功耗低，扩展性好的特性。
-
公开(公告)号：CN103811580A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410078922.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/1035 , H01L31/02327 , H01L31/1844
Abstract: 本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；金属光栅层为一维周期性亚波长光栅；下掺杂层和上掺杂层均为掺杂类型相异的重掺杂的InGaAs材料，两者分别与吸收层构成pin结构，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明InGaAs红外光探测器利用一维周期性金属光栅激发表面等离子体效应和瑞利伍德异常效应，使得可以在不损失吸收率的情况下，增强器件的响应速度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684180A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611180940.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/18
Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。
-
公开(公告)号：CN103823276B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410086632.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关，该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导，其中：输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中；一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一维光子晶体透射谱来调控由输入光波导引入的入射光的透射特性，进而选择入射光的透射波长；输出光波导用于引出一维光子晶体光栅薄膜结构的输出光。本发明利用电场改变光子晶体中液晶材料在光传播方向的折射率张量来调节出射光的开和关的状态。本发明的光子晶体结构液晶光开关可用于集成度较高的光互联芯片中，并且具有结构简单，光损耗低，功耗低，扩展性好的特性。
-
公开(公告)号：CN103811580B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410078922.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；金属光栅层为一维周期性亚波长光栅；下掺杂层和上掺杂层均为掺杂类型相异的重掺杂的InGaAs材料，两者分别与吸收层构成pin结构，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明InGaAs红外光探测器利用一维周期性金属光栅激发表面等离子体效应和瑞利伍德异常效应，使得可以在不损失吸收率的情况下，增强器件的响应速度。
-
公开(公告)号：CN106684180B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201611180940.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。
-
公开(公告)号：CN106784120A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611125951.7
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括：衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层，所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅，用于接收入射光波；所述吸收层用于吸收光波；所述下掺杂层和所述上掺杂层用于引出所述红外偏振探测器的两个电极。本发明采用二维的周期性非对称结构金属光栅，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体附近，可以提高探测器效率；同时非对称的光栅结构在不同偏振方向入射光照射下产生的电磁振荡强度不同，可以实现偏振光探测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.032 seconds)
