公开(公告)号：CN105118886A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510547504.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈良惠 ,  李慧梅 ,  李晓敏 ,  李健 ,  于海龙 ,  宋国峰 ,  徐云

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/1892

Abstract: 本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。