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公开(公告)号：CN114047651B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111361844.5
申请日：2021-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本公开公开了一种空间光调制器，包括：绝缘调制层(300)；导电调制层(400)，设置于绝缘调制层(300)上，并包括多个调制电极；电极层(200)，设置于绝缘调制层(300)下，并包括多个与多个调制电极配合的配合电极；其中，绝缘调制层(300)、导电调制层(400)的调制电极和电极层(200)的配合电极形成多个像素单元，通过改变施加在每个像素单元的调制电极和配合电极的电压，使得像素单元所在的导电调制层(400)的载流子积累到导电调制层(400)和绝缘调制层(300)的界面处，从而调制像素单元所在的导电调制层(400)的光学性质，从而实现像素单元的光调制功能，提高调制速度。
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公开(公告)号：CN112596281A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011499623.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种空间光调制器，包括：反射层，用于对入射波进行反射；调制层，设置在所述反射层上，所述调制层的光学性质可调节，包括像素调制单元；电极层，设置在所述调制层上，包括调制电极，所述调制电极设置在所述像素调制单元上，所述调制电极通过改变施加在所述像素调制单元的电压完成改变调制层的光学性质，具有稳定性高，鲁棒性高，使用寿命长和调制速度高的特点。本发明还公开了一种空间光调制器的制备方法，通过采用调制电极通过改变像素调制单元的电压完成改变调制层的光学性质，进而实现对光波的调制，相较于液晶空间光调制器，具有加工步骤少、加工难度低、成品率高，生产成本低的有益效果。
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公开(公告)号：CN113391471A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110658175.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种空间光调制器，包括：调制层单元，包括依次设置的不同折射率的第一调制层、第二调制层和第三调制层；所述第二调制层的折射率与所述第一调制层和第三调制层不同，所述第一调制层、第二调制层和第三调制层中至少一个调制层设置有至少一个图形单元；电极单元，包括正电极和负电极，位于所述图形单元的间隙之中，所述电极单元能够调节所述电极单元所接触的调制层所述第二调制层的光学性质。同时本公开还提供一种空间光调制器的制备方法。
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公开(公告)号：CN116859523A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310882652.1
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开一种复合型光波导端面耦合器，包括：硅衬底(1)、埋氧层(2)、第一波导层、第二波导层和二氧化硅包层(3)；所述第一波导层包括条形过渡波导(5)和脊形波导(6)；所述条形过渡波导(5)生长在所述埋氧层(2)的中线上，依次包括第一过渡段(51)、第二过渡段(52)和第三过渡段(53)，所述第一过渡段(51)和所述第三过渡(53)段为倒锥形，所述第二过渡段(52)为矩形；所述脊形波导(6)包括平板波导和脊波导，所述平板波导和所述脊波导为倒锥形；所述二氧化硅包层(3)生长在所述埋氧层(2)和所述第一波导层上；所述第二波导层为氮化硅波导(4)，位于所述二氧化硅包层(3)中部，平行与所述埋氧层(2)的中线。
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公开(公告)号：CN113391471B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110658175.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种空间光调制器，包括：调制层单元，包括依次设置的不同折射率的第一调制层、第二调制层和第三调制层；所述第二调制层的折射率与所述第一调制层和第三调制层不同，所述第一调制层、第二调制层和第三调制层中至少一个调制层设置有至少一个图形单元；电极单元，包括正电极和负电极，位于所述图形单元的间隙之中，所述电极单元能够调节所述电极单元所接触的调制层所述第二调制层的光学性质。同时本公开还提供一种空间光调制器的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112596281B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011499623.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种空间光调制器，包括：反射层，用于对入射波进行反射；调制层，设置在所述反射层上，所述调制层的光学性质可调节，包括像素调制单元；电极层，设置在所述调制层上，包括调制电极，所述调制电极设置在所述像素调制单元上，所述调制电极通过改变施加在所述像素调制单元的电压完成改变调制层的光学性质，具有稳定性高，鲁棒性高，使用寿命长和调制速度高的特点。本发明还公开了一种空间光调制器的制备方法，通过采用调制电极通过改变像素调制单元的电压完成改变调制层的光学性质，进而实现对光波的调制，相较于液晶空间光调制器，具有加工步骤少、加工难度低、成品率高，生产成本低的有益效果。
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公开(公告)号：CN116978974A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310919617.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 提供一种氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器，包括：衬底，介质层，探测器层，覆盖层，电极单元。介质层形成于衬底上；探测器层形成于介质层上并被覆盖层包覆，探测器层包括：氮化硅波导，用于低损耗传输光信号；椭圆谐振腔，设置于氮化硅波导旁，用于对由氮化硅波导耦合入的光信号进行相长干涉和滤波，椭圆谐振腔的长轴方向与氮化硅波导平行；以及椭圆探测器，设置于椭圆谐振腔的一侧并与该椭圆谐振腔对齐级联，用于将经椭圆谐振腔处理后的光信号转换为电信号；椭圆探测器的长轴与氮化硅波导平行，椭圆探测器包括有第一掺杂区和第二掺杂区；电极单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别由第一掺杂区和第二掺杂区延伸至覆盖层表面。
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公开(公告)号：CN116909043A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310761342.4
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本公开提供一种空间光调制器及其制备方法，空间光调制器包括：绝缘调制层；上导电调制层，设置于绝缘调制层表面，包括多个调制电极；下导电调制层，设置于上导电调制层上且与绝缘调制层所在表面相对的表面，包括多个与多个调制电极配合的配合电极；一个调制电极和与该调制电极配合的一个配合电极形成一个像素单元，像素单元被配置为通过改变施加在像素单元的调制电极与配合电极之间的电压，控制上导电调制层上像素单元所在区域的载流子积累到上导电调制层和绝缘调制层的界面处，以及下导电调制层上像素单元所在区域的载流子积累到下导电调制层和绝缘调制层的界面处。该空间光调制器能够实现像素单元的光调制功能，提高调制速度。
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公开(公告)号：CN116859643A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310913477.8
申请日：2023-07-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/133
Abstract: 一种空间光调制器及其制备方法，该空间光调制器包括：调制单元层，调制单元层包括阵列式排布的多个像素调制单元；电极组层，设置在调制单元层的第一表面上，电极组层包括多个间隔设置的电极组，每个电极组包括第一电极和第二电极，电极组的第一电极和第二电极设置在一个相应的像素调制单元两侧，电极组适用于向位于第一电极和第二电极之间的像素调制单元施加电信号；其中，来自外部的空间光信号自电极组层入射，并透过调制单元层，在电极组层施加的电信号的作用下，像素调制单元的光学性质发生变化，以使透过像素调制单元的空间光信号的光学参量发生变化，实现对空间光信号的调控。
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公开(公告)号：CN114047651A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111361844.5
申请日：2021-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本公开公开了一种空间光调制器，包括：绝缘调制层(300)；导电调制层(400)，设置于绝缘调制层(300)上，并包括多个调制电极；电极层(200)，设置于绝缘调制层(300)下，并包括多个与多个调制电极配合的配合电极；其中，绝缘调制层(300)、导电调制层(400)的调制电极和电极层(200)的配合电极形成多个像素单元，通过改变施加在每个像素单元的调制电极和配合电极的电压，使得像素单元所在的导电调制层(400)的载流子积累到导电调制层(400)和绝缘调制层(300)的界面处，从而调制像素单元所在的导电调制层(400)的光学性质，从而实现像素单元的光调制功能，提高调制速度。
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