公开(公告)号：CN101145590A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200610112934.X

申请日：2006-09-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 焦玉恒 ,  吴巨 ,  徐波 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、InxGa1－xAs阶变缓冲层(12)和InyGa1－yAs单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在InyGa1－yAs单一成分层(13)之上。本发明同时公开了一种量子点材料结构的生长方法。利用本发明，实现利用简单的工艺制备大面积的有序分布的量子点，工艺简单，不需要生长前对基体进行特殊处理工艺，与分子束外延工艺完全兼容。同时易于大面积制备有序排列的自组织量子点阵列材料，对于量子点材料在未来量子器件中的应用具有重要的意义。