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公开(公告)号：CN106328778B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610825825.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
Abstract: 一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN106328778A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610825825.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
CPC classification number: H01L33/0062 , H01L33/20
Abstract: 一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN100487157C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610080612.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
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公开(公告)号：CN100998928A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610000696.3
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01D7/00
Abstract: 本发明一种用于对有机材料进行提纯的升华提纯装置，提纯装置包括：一支撑架，该支撑架包括一台面，台面上纵向有一滑道；一真空部分，该真空部分位于支撑架台面的一侧；一加热炉，该加热炉位于支撑架台面上方的滑道上；一提纯部分，该提纯部分的一端与真空部分连接，且该提纯部分穿过加热炉；一钢瓶，该钢瓶位于支撑架的一端，且通过管路与提纯部分连接。该装置可除去有机材料中的杂质和包裹的溶剂，获得高纯度的有机材料，为研究和制备性能优良的有机半导体器件奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106505130A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611052405.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L33/22 , H01L33/0054 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的图形化基板及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。为了有效利用从LED芯片外延层端面出射的光线，本发明提出了一种应用于LED芯片的图形化基板，包括凹槽结构，用于近距离改变LED芯片端面出射的光的传播方向，减少光损失，极大提高了LED芯片的出光效率；同时基板厚度变薄，不仅降低了系统的串联热阻，还可以使得封装模块体积大大缩小，便于集成应用。另外，本发明提出了一种图形化基板的制备方法，通过湿法腐蚀基片得到具有凹槽结构的图形化基板。
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公开(公告)号：CN101471424A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304209.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明是一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池。包括：一沉积在玻璃衬底上的透明阳极(101)；一沉积在阳极上的多晶镓砷薄膜(102)；一沉积在多晶镓砷薄膜层上的有机电子受体层(103)；一沉积在有机电子受体层上的电子阻挡层(104)；一沉积在电子阻挡层上的阴极(105)。本发明将多晶镓砷薄膜和有机半导体薄膜相结合是一种可行的开发低成本镓砷太阳能电池的手段。
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公开(公告)号：CN101447554A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178313.6
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种采用活泼金属掺杂有机空穴注入材料作为电子注入层的有机发光二极管。本发明所涉及的有机发光二极管结构为一个透明阳极、一个有机空穴注入层、一个有机空穴传输层、一个有机发光层、一个有机电子注入层以及一个阴极106组成。本发明所涉及的有机发光二极管可以用于实现可见光发射，近红外发射。具有低驱动电压、高效率的优势。
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公开(公告)号：CN101113079A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610088953.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一微波炉；步骤2：将样品放置在微波炉的炉体内；步骤3：在微波炉的炉体内置放一玻璃真空灯管架；步骤4：将内含稀薄汞蒸气的石英管放在玻璃真空灯管架上；步骤5：启动微波炉，对内含稀薄汞蒸气的石英管微波加热。
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公开(公告)号：CN101074475A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610080612.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
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