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公开(公告)号：CN100521286C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610113819.4
申请日：2006-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；一正极，该正极沉积在衬底上；一有机电子受体层，该有机电子受体层沉积在正极上，用于产生内载流子；一有机电子给体层，该有机电子给体层沉积在有机电子受体层上，用于产生内载流子；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机电子受体层上，用于传输空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一负极，该负极沉积在有机电子传输层上。
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公开(公告)号：CN100487157C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610080612.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
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公开(公告)号：CN101414664A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710175971.X
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种有机－无机复合发光二极管，包括：一带有透明阳极的衬底；一空穴注入层，该空穴注入层沉积在带有透明阳极的衬底上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在有机电子传输层上。
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公开(公告)号：CN100998928A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610000696.3
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01D7/00
Abstract: 本发明一种用于对有机材料进行提纯的升华提纯装置，提纯装置包括：一支撑架，该支撑架包括一台面，台面上纵向有一滑道；一真空部分，该真空部分位于支撑架台面的一侧；一加热炉，该加热炉位于支撑架台面上方的滑道上；一提纯部分，该提纯部分的一端与真空部分连接，且该提纯部分穿过加热炉；一钢瓶，该钢瓶位于支撑架的一端，且通过管路与提纯部分连接。该装置可除去有机材料中的杂质和包裹的溶剂，获得高纯度的有机材料，为研究和制备性能优良的有机半导体器件奠定基础。
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公开(公告)号：CN100555707C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610089445.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，由以下部分组成：一衬底；一正极沉积在衬底上；一有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层沉积在金属薄层上，用于接受金属薄层中产生的空穴；一有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于传输空穴；一有机发光层沉积在有机空穴传输层上的，用于发出可见光；一有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一阴极沉积在有机电子传输层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165939A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610113819.4
申请日：2006-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；一正极，该正极沉积在衬底上；一有机电子受体层，该有机电子受体层沉积在正极上，用于产生内载流子；一有机电子给体层，该有机电子给体层沉积在有机电子受体层上，用于产生内载流子；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机电子受体层上，用于传输空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一负极，该负极沉积在有机电子传输层上。
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公开(公告)号：CN101097994A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610089445.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，由以下部分组成：一衬底；一正极沉积在衬底上；一有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层沉积在金属薄层上，用于接受金属薄层中产生的空穴；一有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于传输空穴；一有机发光层沉积在有机空穴传输层上的，用于发出可见光；一有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一阴极沉积在有机电子传输层上。
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公开(公告)号：CN101447554A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178313.6
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种采用活泼金属掺杂有机空穴注入材料作为电子注入层的有机发光二极管。本发明所涉及的有机发光二极管结构为一个透明阳极、一个有机空穴注入层、一个有机空穴传输层、一个有机发光层、一个有机电子注入层以及一个阴极106组成。本发明所涉及的有机发光二极管可以用于实现可见光发射，近红外发射。具有低驱动电压、高效率的优势。
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公开(公告)号：CN101113079A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610088953.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一微波炉；步骤2：将样品放置在微波炉的炉体内；步骤3：在微波炉的炉体内置放一玻璃真空灯管架；步骤4：将内含稀薄汞蒸气的石英管放在玻璃真空灯管架上；步骤5：启动微波炉，对内含稀薄汞蒸气的石英管微波加热。
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公开(公告)号：CN101074475A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610080612.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
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