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公开(公告)号：CN102024906A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010504161.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机光电器件技术领域，公开了一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构，该结构由下至上依次包括：透明衬底；沉积在该衬底上的阳极；沉积在该阳极上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的有机电子给体层；沉积在该有机电子给体层上的有机电子受体层；以及沉积在该有机电子受体层上的阴极。其中，阳极采用ITO或FTO，缓冲层采用氧化物掺杂有机材料，氧化物为MoO3、ReO3等低温材料，有机电子给体层采用CuPc或ZnPc，有机电子受体层采用C60或PTCDA或PTCBI，阴极采用铝或者镁银合金。除了阳极和阴极外各层可采用真空蒸镀，喷涂，打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可改善有机太阳能电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN101997021A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091404.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种叠层有机电致发光器件，该器件包括：一透明阳极；一金属阴极；位于该透明阳极和该金属阴极中间的至少两个电致发光单元，每个电致发光单元至少包括一有机空穴传输层、一有机发光层和一有机电子传输层；位于两个电致发光单元中间的电荷产生单元，用于连接两个电致发光单元，包括金属掺杂的有机层和过渡金属氧化物掺杂的有机层，该过渡金属氧化物掺杂的有机层比该金属掺杂的有机层更靠近该电致发光单元中的有机空穴传输层。本发明提供的这种叠层有机电致发光器件，分别用金属和过渡金属氧化物掺杂同一种有机电子传输材料的结构作为叠层有机电致发光器件的电荷产生单元，可应用于有机平板全色显示和固体照明领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024906B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010504161.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机光电器件技术领域，公开了一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构，该结构由下至上依次包括：透明衬底；沉积在该衬底上的阳极；沉积在该阳极上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的有机电子给体层；沉积在该有机电子给体层上的有机电子受体层；以及沉积在该有机电子受体层上的阴极。其中，阳极采用ITO或FTO，缓冲层采用氧化物掺杂有机材料，氧化物为MoO3、ReO3等低温材料，有机电子给体层采用CuPc或ZnPc，有机电子受体层采用C60或PTCDA或PTCBI，阴极采用铝或者镁银合金。除了阳极和阴极外各层可采用真空蒸镀，喷涂，打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可改善有机太阳能电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN101800290A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910077680.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07C211/54 , C07D215/30
Abstract: 一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管，包括：一透明阳极；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上，该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在所述有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在所述有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在所述有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在所述有机电子传输层上，该阴极的面积小于有机电子传输层的面积。
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公开(公告)号：CN101609871A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810115184.0
申请日：2008-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：一透明阳极；一空穴注入层，该空穴注入层生长在透明阳极上的中间部位，使透明阳极的侧边形成一台阶；一空穴传输层，该空穴传输层生长在空穴注入层上；一发光层，该发光层生长在空穴传输层上；一电子注入层，该电子注入层生长在发光层上；一金属阴极，该金属阴极生长在电子注入层上。
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公开(公告)号：CN101630717B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116740.6
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/00
Abstract: 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，由以下部分组成：一N型层；一本征层，该本征层生长在N型层上；一P型层，该P型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧；上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。
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公开(公告)号：CN101630717A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810116740.6
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/00
Abstract: 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，由以下部分组成：一N型层；一本征层，该本征层生长在N型层上；一P型层，该P型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧；上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。
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