公开(公告)号：CN106024982A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610538918.0

申请日：2016-07-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 许佳佳 ,  陈建新 ,  马伟平 ,  潘建珍 ,  李宁 ,  白治中

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76895 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好，顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，进而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性；本发明适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III‑V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。