公开(公告)号：CN117955496A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410080048.1

申请日：2024-01-18

Applicant: 重庆吉芯科技有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 李婷 ,  任芳 ,  张勇 ,  倪亚波 ,  李梁 ,  陈超 ,  梁宇涵 ,  马梓铭 ,  陶磊 ,  彭嘉豪 ,  付东兵 ,  王健安 ,  陈光炳

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，提供了一种时间交织模数转换系统及校准方法，系统包括：多级输入缓冲模块，用于接收模拟输入信号并对模拟输入信号进行缓冲；通道选择模块，与多级输入缓冲模块连接，用于将多级输入缓冲模块的输出信号传输至预先选择的目标通道；时间交织模数转换模块，与通道选择模块连接，用于生成采样时钟信号，并通过目标通道、采样时钟信号，将多级输入缓冲模块的输出信号转换为数字输出信号；通道误差校准模块，与时间交织模数转换模块连接，用于对时间交织模数转换模块的通道误差进行校准，并将时间误差反馈至时间交织模数转换模块，以调节采样时钟信号。本申请方案，降低了时间交织转换器的校准难度并提高了交织后的性能。

公开(公告)号：CN115084137A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210861707.6

申请日：2022-07-20

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张广胜 ,  朱坤峰 ,  杨永晖 ,  徐青 ,  张培健 ,  钱呈 ,  钟怡 ,  杨法明 ,  裴颖 ,  黄磊 ,  任芳 ,  邱盛

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构、高压对称pLDMOS结构、高压非对称pLDMOS结构、多晶高值电阻结构、MOS电容结构，实现了成套抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构，通过双栅氧化层工艺，采用了硅栅自对准注入的工艺方式，在多晶栅刻蚀之后再形成源漏，匹配全流程热预算设计，形成的低压NMOS结构和高压nLDMOS结构具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低的漏电和较小的阈值电压漂移，有效解决了宇航用抗辐射高低压CMOS类产品工艺制造难题。

公开(公告)号：CN114122110A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111414757.1

申请日：2021-11-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  罗婷 ,  陈仙 ,  税国华 ,  仵韵辰 ,  易孝辉 ,  洪敏 ,  任芳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区和发射结的环形掺杂区，以及与环形掺杂区电连接的环形集电极接触，形成了一个抗总剂量加固结构，该抗总剂量加固结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，降低了基区Si/SiO2界面附近的载流子复合率，抑制了基极电流的增加，提高了抗总剂量能力。

公开(公告)号：CN114242695A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111473012.2

申请日：2021-12-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  中电科技集团重庆声光电有限公司

Inventor： 张培健 ,  陈仙 ,  唐新悦 ,  洪敏 ,  廖希异 ,  王妍 ,  邱盛 ,  蒋飞宇 ,  任芳

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构，低温漂集成点火桥结构包括基底、低温漂薄膜电阻及保护膜；在本发明中，沿着电流的流向，低温漂薄膜电阻两端的横向尺寸大于中间的横向尺寸，有效电阻区为中间区域，设计时通过调节中间区域的线宽即可有效调节电阻值的大小，点火桥结构的电阻值掌控调节比较方便；同时，低温漂薄膜电阻上设置有保护膜，能有效防止低温漂薄膜电阻的表面被氧化，提升了低温漂薄膜电阻的结构稳定性，改善了点火桥结构的点火性能；低温漂薄膜电阻的材质采用铬硅合金等低温漂系数的金属材质，其电阻温度系数相对较低，保证了点火桥结构电阻的低温漂特性，特别适用于低温高温等极端环境下的芯片引爆。

公开(公告)号：CN118677430A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410850250.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 重庆吉芯科技有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 李婷 ,  任芳 ,  李梁 ,  张勇 ,  倪亚波 ,  梁宇涵 ,  陶磊 ,  马梓铭 ,  付东兵 ,  王健安 ,  陈光炳

IPC: H03K19/003

Abstract: 本申请公开了一种解耦电路，包括：至少两个解耦单元，所述至少两个解耦单元并联连接；每一个所述解耦单元包括第一电容组件和第二电容组件，所述第一电容组件与所述第二电容组件并联连接；所述第一电容组件包括至少两个第一电容，且每一个第一电容的耐压小于电源电压；所述第二电容组件包括一第二电容，所述至少两个第一电容串联连接后与所述第二电容并联连接；在所述第一电容组件中，相邻两第一电容连接形成解耦单元的公共端，多个解耦单元的公共端连接在一起。