公开(公告)号：CN114438579A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111583797.9

申请日：2021-12-22

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张德平 ,  汪洋 ,  陈航

IPC: C25F3/02 ,  H01M4/70

Abstract: 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。铜箔粗化液，包括以下浓度的各组分：锌离子源50g/L～120g/L，氯离子源50g/L～120g/L，导电盐75g/L～120g/L，及pH调节剂，pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5～5。在铜箔粗化液作为溶液的基础上，通过连续的正扫和负扫及即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解，实现了铜箔表面粗糙度的调制，提高了铜箔与树脂基材的结合力。

公开(公告)号：CN114438579B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202111583797.9

申请日：2021-12-22

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张德平 ,  汪洋 ,  陈航

IPC: C25F3/02 ,  H01M4/70

Abstract: 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。铜箔粗化液，包括以下浓度的各组分：锌离子源50g/L～120g/L，氯离子源50g/L～120g/L，导电盐75g/L～120g/L，及pH调节剂，pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5～5。在铜箔粗化液作为溶液的基础上，通过连续的正扫和负扫及即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解，实现了铜箔表面粗糙度的调制，提高了铜箔与树脂基材的结合力。