公开(公告)号：CN108203830B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201711347546.4

申请日：2017-12-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 具炳秀 ,  朴民奎

IPC: C23F1/44

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。

公开(公告)号：CN108203830A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711347546.4

申请日：2017-12-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 具炳秀 ,  朴民奎

IPC: C23F1/44

CPC classification number: C23F1/44

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。