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公开(公告)号：CN104903337B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN101511772A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2－二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。
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公开(公告)号：CN113785085A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080019987.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供即使是薄膜也显示出高阻气性能的氧化硅膜。该氧化硅膜满足下述(1)及(2)的要件：(1)膜厚500nm以下时的水蒸气透过率(WVTR)为9.0×10‑3g/m2·天以下。(2)通过X射线光电子能谱法(XPS)测定的膜中碳浓度为3.0atom％以下。
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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN102066313B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980123896.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , B01J21/06 , B01J35/02 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/312 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F7/28
CPC classification number: H01L21/28556 , B01J21/063 , B01J31/1805 , B01J35/004 , B01J2531/46 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02186 , H01L21/02271
Abstract: 本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R1和R4分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R5表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101511772B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2-二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。M1(NR1)X3(L)r+R2OM2→M1(NR1)(OR2)3(2) (3) (1)。
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公开(公告)号：CN102066313A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123896.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , B01J21/06 , B01J35/02 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/312 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F7/28
CPC classification number: H01L21/28556 , B01J21/063 , B01J31/1805 , B01J35/004 , B01J2531/46 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02186 , H01L21/02271
Abstract: 本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R1和R4分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R5表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
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公开(公告)号：CN104903337A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。
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公开(公告)号：CN101304964A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。
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公开(公告)号：CN102686771B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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