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公开(公告)号:CN113785085A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202080019987.5
申请日:2020-04-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供即使是薄膜也显示出高阻气性能的氧化硅膜。该氧化硅膜满足下述(1)及(2)的要件:(1)膜厚500nm以下时的水蒸气透过率(WVTR)为9.0×10‑3g/m2·天以下。(2)通过X射线光电子能谱法(XPS)测定的膜中碳浓度为3.0atom%以下。
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