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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN111406059B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880076675.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 提供具有高的光稳定性的铕络合物。式(A)表示的铕络合物。〔式中，RA及RB各自独立地为碳原子数3～10的环状烷基，RC为碳原子数3～10的环状烷基或者式(B)(式中，XA、XB、XC、XD、及XE各自独立地表示氢原子；氟原子；碳原子数1～3的烷基；碳原子数1～3的烷氧基；碳原子数6～10的芳氧基；碳原子数1～3的氟烷基；碳原子数1～3的氟烷氧基；或者任选被氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、氟苯基、羟基、或氰基取代的苯基。)表示的苯基；或者RA为碳原子数3～10的环状烷基，RB及RC为式(B)表示的苯基，其中，不包括RA为环己基、并且RB、RC为苯基的情况。或者RA、RB及RC各自独立地表示式(Ba)表示的邻位取代苯基(式中，XF表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的萘基、任选被氟原子取代的吡啶基、或者式(C)[式中，ZA、ZC及ZE各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的苯基、羟基、或氰基。ZB及ZD各自独立地表示氢原子或氟原子。]表示的苯基。其中，不包括RA、RB及RC全部为苯基的情况。)。RD表示氢原子、氘原子、或氟原子。WA及WB各自独立地表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的氟烷基、苯基、2‑噻吩基或3‑噻吩基。n表示1～3的整数。〕。
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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101304964A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101238095A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1－6个碳原子的烷基等；R2表示具有1－6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1－4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN101511772B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2-二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。M1(NR1)X3(L)r+R2OM2→M1(NR1)(OR2)3(2) (3) (1)。
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公开(公告)号：CN101238095B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1-6个碳原子的烷基等；R2表示具有1-6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1-4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN112839924B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN112839924A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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