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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN101304964A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。
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公开(公告)号：CN101238095A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1－6个碳原子的烷基等；R2表示具有1－6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1－4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN102197444A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142168.3
申请日：2009-10-21
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
CPC classification number: C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018
Abstract: 本发明提供能够由高价金属化合物直接制造金属膜的组合物、金属膜的制造方法、以及金属粉末的制造方法。使用铜、银或铟的金属膜制造用组合物形成覆膜，然后进行加热还原，由此制造铜、银或铟的金属膜，所述铜、银或铟的金属膜制造用组合物的特征在于，含有铜、银或铟的高价化合物，直链、支链或环状的碳原子数为1～18的醇类，以及VIII族的金属催化剂。另外，代替铜、银或铟的高价化合物，使用具有包含铜、银或铟的高价化合物的表层的铜、银或铟的金属颗粒，与上述同样地制造铜、银或铟的金属膜。
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公开(公告)号：CN101511772A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032292.5
申请日：2007-08-20
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C07C209/00 , C01G33/00 , C23C16/18 , C01G35/00 , C07F9/00
CPC classification number: C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2－二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。
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公开(公告)号：CN101304977A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041507.5
申请日：2006-11-06
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹氟技术株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D239/54 , C07D239/22 , C07D473/04 , C07D473/08 , C07D473/10 , C07D473/12 , C07D473/16 , C07D473/18 , C07D473/30 , C07D473/34 , C07H19/067 , C07H19/073 , C07H19/167
CPC classification number: C07D473/04 , C07D473/10
Abstract: 本发明提供具有全氟烷基的核酸碱类的简便且有效的制备方法。在亚砜类、过氧化物和铁化合物的存在下，通过卤化全氟烷基类与核酸碱类(例如，尿嘧啶类、胞嘧啶类、腺嘌呤类、鸟嘌呤类、次黄嘌呤类、或黄嘌呤类等)反应，可经济性良好地制备作为医药中间体有用的全氟烷基核酸碱类。
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公开(公告)号：CN101675038B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880011841.5
申请日：2008-03-14
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , C07B61/00
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D401/14 , H01L51/5048 , H05B33/22
Abstract: 本发明涉及通式(1)所示的苯基取代1，3，5-三嗪化合物，该化合物作为有机电致发光元件是有用的。[式中，Ar1和Ar2独立地表示取代或非取代的苯基、萘基或联苯基，R1、R2和R3独立地表示氢原子或甲基，X1和X2独立地表示取代或非取代的亚苯基、亚萘基或亚吡啶基，p和q独立地表示0到2的整数，Ar3和Ar4独立地表示取代或非取代的吡啶基或苯基]。
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公开(公告)号：CN101248058B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200680031151.7
申请日：2006-08-23
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D401/14 , C07D401/10 , C09K11/06 , C09K2211/1059 , H01L51/0065 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 由于常规电子输送体具有较低的热稳定性，使用它们的有机电致发光器件在其亮度和发光效率与器件寿命的相容性方面是不足够的。式(1)的1，3，5-三嗪衍生物通过金属催化剂辅助的式(2)化合物与式(3)化合物的偶联反应得到，其用作有机电致发光器件的组分。[化学式1][化学式2]MXqAr2(2)[化学式3]在该式中，Ar1和Ar2表示苯基等，R1和R2表示氢原子等，R3表示甲基等，m为0-2的整数，X表示2，4-亚吡啶基等，p为1或2，a和b为1或2，a+b为3，q为0或小于或等于p的整数，M表示-MgR4基团等，R4表示氯原子等，r为p-q且Y表示离去基团。
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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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