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公开(公告)号：CN104903337A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。
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公开(公告)号：CN103124734A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180036572.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。
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公开(公告)号：CN104903337B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN103124734B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180036572.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102066313B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980123896.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , B01J21/06 , B01J35/02 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/312 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F7/28
CPC classification number: H01L21/28556 , B01J21/063 , B01J31/1805 , B01J35/004 , B01J2531/46 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02186 , H01L21/02271
Abstract: 本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R1和R4分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R5表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
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公开(公告)号：CN102066313A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123896.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , B01J21/06 , B01J35/02 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/312 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F7/28
CPC classification number: H01L21/28556 , B01J21/063 , B01J31/1805 , B01J35/004 , B01J2531/46 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02186 , H01L21/02271
Abstract: 本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R1和R4分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R5表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
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公开(公告)号：CN102686771B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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公开(公告)号：CN102686771A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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