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公开(公告)号：CN104884417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二
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公开(公告)号：CN104884417A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二氧基、Y表示羧基等、α表示3～10、β表示0～1、γ表示0～8、δ表示2～9、ε表示0～6、ζ表示6～16、η表示0～4、θ表示0～2、ι表示0～6的整数)。
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公开(公告)号：CN104903337B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN103124734B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180036572.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。
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公开(公告)号：CN104903337A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN103124734A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180036572.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。
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公开(公告)号：CN105001254B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN102066313B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980123896.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , B01J21/06 , B01J35/02 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/312 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F7/28
CPC classification number: H01L21/28556 , B01J21/063 , B01J31/1805 , B01J35/004 , B01J2531/46 , C07C209/54 , C07C209/66 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02186 , H01L21/02271
Abstract: 本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R1和R4分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R5表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
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公开(公告)号：CN112839924B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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