公开(公告)号：CN104903337B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201380069822.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 多田贤一 ,  山本俊树 ,  尾池浩幸 ,  摩庭笃 ,  千叶洋一 ,  岩永宏平 ,  河野和久

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/28568 ,  C07F7/02 ,  C07F15/0046 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)

公开(公告)号：CN104903337A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069822.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 多田贤一 ,  山本俊树 ,  尾池浩幸 ,  摩庭笃 ,  千叶洋一 ,  岩永宏平 ,  河野和久

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/28568 ,  C07F7/02 ,  C07F15/0046 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。

公开(公告)号：CN112839924B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201980067199.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  山本有纪 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07C251/12 ,  C07F15/06 ,  C07F19/00 ,  C07C49/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN112839924A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980067199.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  山本有纪 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07C251/12 ,  C07F15/06 ,  C07F19/00 ,  C07C49/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN108473521B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN108473521A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN115735266A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180045367.3

申请日：2021-07-08

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 池村周也 ,  尾池浩幸 ,  山本有纪 ,  早川哲平

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的低温成膜条件下制造含钛薄膜有用的钛络合物。上述钛络合物由通式(1)(式中，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，任选相互键合而形成环。X表示CR3或N原子。Y表示CR4或N原子。Z表示CR5或N原子。R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基。n表示1～3的整数。)表示。