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公开(公告)号：CN112825301A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN112825301B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN104916674B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN116978946A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419766.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；漂移区，设于掩埋介质层上；源极区；漏极区；掩埋介质层包括耐压部和散热部，耐压部位于漏极区下方，散热部从耐压部的边缘向源极区的下方延伸，散热部的热导率高于耐压部的热导率，耐压部的介电常数小于散热部的介电常数；栅极；竖向导电结构，从漂移区向下延伸至散热部；底部介电结构，设于竖向导电结构的底部下方的散热部中，底部介电结构的介电常数小于散热部的介电常数；介电层，设于竖向导电结构的侧面。本发明可以在增强器件散热性的同时保证耐压不变差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116130405A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111343330.7
申请日：2021-11-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层。本发明通过沟槽阵列将绝缘层分割为多个块状结构，可以减小绝缘层对衬底的应力。并且外延层与衬底连接在一起，可以进一步减小晶圆的应力，还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。
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公开(公告)号：CN117438460A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210820911.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。
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公开(公告)号：CN117293177A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210695511.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第一导电类型阱区；第二导电类型漂移区，设于第一导电类型阱区中；绝缘隔离结构，设于第二导电类型漂移区中；漏极区，具有第一导电类型，靠近第二导电类型漂移区和绝缘隔离结构设置；源极区，具有第一导电类型，第二导电类型漂移区位于源极区和所述漏极区之间。本发明利用绝缘隔离结构将器件开启时靠近漏端的不均匀的大电流挡住，迫使其向电流更小的地方分流，从而改善Kirk效应带来的漏端损伤。而第二导电类型漂移区能够起到对于电子的复合阻挡层的作用，防止在漏极区边缘形成强电离场，避免出现触发电压在多次ESD应力冲击下的Walk‑in现象。
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公开(公告)号：CN119028970A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310594014.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底上设有至少一个凹槽，至少一个凹槽沿第一方向贯穿衬底，且沿衬底的厚度方向贯穿衬底；至少一个凹槽内填充有第一介质层；介质埋层，设于衬底上；以及顶硅层，设于介质埋层上；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区分别位于漂移区沿第二方向的两侧；其中，位于第一介质层靠近漏引出区一侧的衬底上设置有背电极。本申请能够在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压，此外，还突破了传统SOI器件中顶硅层与埋氧层的厚度对纵向耐压的限制。
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公开(公告)号：CN118507511A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310119466.2
申请日：2023-02-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分所述漏引出区位于所述介质埋层在所述顶硅层上的正投影的外部；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。这样，相当于在漏端(漏引出区)引入衬底耐压，从而可以在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压。
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