-
公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
-
公开(公告)号：CN102723353B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110078650.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件包括：基底；位于基底内的渐变漂移区，所述渐变漂移区包括掺杂类型相同的漏端阱区和源端阱区，所述漏端阱区和源端阱区相连通，且所述漏端阱区的深度大于源端阱区的深度；位于所述渐变漂移区上的场氧化层。本发明所提供的高压功率LDMOS器件及其制造方法，具有工艺简单、成本较低的优点；且工艺过程容易控制，可使器件的击穿电压和导通电阻等关键参数保持较好的稳定性。
-
公开(公告)号：CN102723354A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110078690.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件，包括：基底；位于基底内的埋层区及漂移区，所述埋层区包括主埋层区和副埋层区，所述副埋层区位于漂移区靠近源端底部且与所述漂移区相连通。本发明所提供的高压功率LDMOS器件，由于在漂移区靠近源端底部存在与漂移区相连通的副埋层区，而副埋层区与漂移区的掺杂类型相反，故所述副埋层区的存在可有助于实现Qn与Qp电荷的平衡，从而有利于提高器件击穿电压的稳定性。
-
公开(公告)号：CN102723353A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110078650.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件包括：基底；位于基底内的渐变漂移区，所述渐变漂移区包括掺杂类型相同的漏端阱区和源端阱区，所述漏端阱区和源端阱区相连通，且所述漏端阱区的深度大于源端阱区的深度；位于所述渐变漂移区上的场氧化层。本发明所提供的高压功率LDMOS器件及其制造方法，具有工艺简单、成本较低的优点；且工艺过程容易控制，可使器件的击穿电压和导通电阻等关键参数保持较好的稳定性。
-
公开(公告)号：CN106653830A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510713750.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990423A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054806.3
申请日：2015-02-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种横向双扩散场效应管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第二导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的LDMOS的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向双扩散场效应管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通电阻小。
-
公开(公告)号：CN105990408A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054601.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/1037 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/4236 , H01L29/735
Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第一导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的单沟道SOI-LIGBT的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向绝缘栅双极型晶体管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通压降小。
-
公开(公告)号：CN105720099A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410724508.6
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/408 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/735 , H01L29/7831
Abstract: 本发明公开了一种N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底；形成于衬底上的第一N阱；形成于第一N阱表面的第二N阱、第一P阱、第三N阱以及第四N阱；形成于第一P阱上的源极引出区；形成于第四N阱上的漏极引出区；形成于第二N阱和第一P阱表面的第一栅极引出区；形成于第一P阱和第三N阱表面的第二栅极引出区；第一栅极引出区和第二栅极引出区分别通过金属引线引出并连接后作为N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极。上述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管设置有第一栅极引出区以及第二栅极引出区，并通过第二N阱和第一N阱形成一条新的电流通道，使得电流能力增加了将近一倍，输出电流能力较强。
-
公开(公告)号：CN105225938A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410242657.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种局部薄层硅的制作方法，所述方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄层硅区域和非薄层硅区域；在所述SOI衬底的表面上形成保护层；对所述保护层进行图案化，以去除所述薄层硅区域所对应的保护层；采用热氧化法在所述薄层硅区域内形成第一氧化层；去除所述第一氧化层，以在所述SOI衬底的表面形成浅槽；在所述浅槽的侧壁上形成阻挡侧墙；以及采用热氧化法在所述浅槽内形成第二氧化层。该制作方法可以在对薄层硅区域进行氧化的过程中控制形成的“鸟嘴”的长度，使其不会随着氧化层的厚度增加而变长，即，可以在减小薄层硅区域的厚度的同时，保持非薄层硅区域的有效面积不变，从而可以提高工艺的集成度。
-
公开(公告)号：CN103296082B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210045076.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
183
records
(took 0.081 seconds)
