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公开(公告)号：CN112768517A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
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公开(公告)号：CN104916674B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN112768517B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN115483283A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110739674.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：包括衬底、绝缘埋层、半导体层、至少两个间隔排布的沟道区、阳极、阴极接触区及阴极，其中，沟道区上表层设有沟道接触区，相邻两个沟道区之间设有阳极接触区。当半导体器件正向导通时，沟道接触区可以降低导通压降，从而可以降低器件的整体功耗；当半导体器件反向导通时，由半导体层和各个沟道区形成的反向耗尽层可以将导电沟道进行夹断，使整个阳极处于封闭状态，降低漏电；当半导体器件反向恢复时，沟道接触区产生的少子空穴可以与阳极接触区的电子空穴进行复合后消失，降低整个器件在反向恢复时的峰值电流，同时降低反向恢复的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274862A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110484015.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制造方法及半导体器件，所述二极管包括：衬底；绝缘埋层，设于衬底上；半导体层，设于绝缘埋层上；阳极；阴极，包括：沟槽型接触，在沟槽内填充有接触材料；沟槽从半导体层的第一表面向半导体层的第二表面延伸，第一表面是远离绝缘埋层的表面，第二表面是朝向绝缘埋层的表面；阴极掺杂区，在沟槽型接触的四周和底部包围沟槽型接触，且还设置于沟槽型接触周围的所述第一表面；阴电极，在阴极掺杂区上并与阴极掺杂区电性连接。本发明阴极掺杂区的面积较大，因此在并联的横向绝缘栅型双极性晶体管关断时，二极管用于收集和复合少子的面积较大，二极管反向恢复的速度和效率高。
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公开(公告)号：CN107785416B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201610793198.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制造方法，所述结型场效应晶体管包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；源极，为第一导电类型且形成于阱区内；源极金属电极，形成于源极上且与源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻源极之间且两端与两相邻源极接触；金属栅极，形成于阱区上。本发明将传统JFET的纵向沟道固化下来，通过在器件表面添加横向沟道区，提高两部分沟道的比例中的横向沟道来调节整体的夹断电压，这种方法适用于更高的电流和电压。其结合了横向JFET可调节的优势而应用于纵向器件，加长了横向沟道的长度，可以忽略纵向沟道的影响而仅通过调节横向沟道而实现整个JFET的夹断电压精确调整。
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公开(公告)号：CN106653830B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510713750.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。
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公开(公告)号：CN110875304B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201811015332.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/784
Abstract: 本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法，所述瞬态电压抑制器件包括：衬底；第一导电类型阱区，包括第一阱和第二阱；第二导电类型阱区，包括第三阱和第四阱，第三阱设于所述第一阱和第二阱之间从而将第一阱和第二阱相隔离，第二阱设于第三阱和第四阱之间；齐纳管有源区；第一掺杂区，设于所述第一阱中；第二掺杂区，设于所述第一阱中；第三掺杂区，设于所述第二阱中；第四掺杂区，设于所述第二阱中；第五掺杂区，设于所述齐纳管有源区中；第六掺杂区，设于所述齐纳管有源区。本发明通过第三阱对第一阱和第二阱进行隔离，相当于对第一二极管和第二二极管进行隔离，隔离效果好，避免了寄生BJT开启，因此ESD鲁棒性高、便于集成。
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公开(公告)号：CN109979936B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201711465185.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种集成半导体器件和电子装置，可以将耗尽型器件和增强型器件集成在一个半导体器件上，将两种器件同时封装，节省工艺流程，节省芯片面积，同时，在栅极结构下方设置介质岛，在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击穿可靠性大大提高；同时，由于介质岛的存在，使得栅介电层的厚度增加，降低了栅极电容，减小器件的开关损耗。
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