公开(公告)号：CN114836719B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202210511812.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 朱蓓蓓 ,  吕鹏飞 ,  温传彬 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  徐骁 ,  唐雪昊 ,  薛烽 ,  白晶 ,  陶立

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23F1/02 ,  C23C14/58 ,  C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。

公开(公告)号：CN117855029A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410056836.7

申请日：2024-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  刘畅 ,  景旭 ,  王哲涵

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种用于二维半导体场效应晶体管器件的氧化物转移方法，首先利用电子束蒸发镀膜或磁控溅射镀膜的方法在生长衬底上获得铜或镍等金属牺牲层，再通过电子束蒸发镀膜或原子层沉积的方法沉积所需要的氧化物，在氧化物表面旋涂PMMA后利用刻蚀液刻蚀去除金属牺牲层，释放PMMA/氧化物结构，再将其转移至目标衬底上。本发明方法可用于高介电常数氧化物的转移，具有简单便捷的操作性，且所用试剂成本较低，转移获得的氧化物面积大，形状完整，褶皱少，能够用于二维半导体场效应晶体管等器件中的范德瓦尔斯集成。

公开(公告)号：CN113109400B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202110304673.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  徐骁 ,  詹科 ,  鲍晨旭 ,  陈启超 ,  王哲涵 ,  陈佳熠

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/聚吡咯的氨气传感器及其制备方法，包括基底和电极，基底上设有石墨烯/聚吡咯复合气敏材料，所述石墨烯/聚吡咯复合气敏材料包括层状石墨烯，层状石墨烯的表面原位聚合有层状聚吡咯。该方法工艺简单，将石墨烯与聚吡咯两种气敏材料以层状/层状形式复合，使气敏复合材料具有气体选择性好、气体响应度高、探测极限低、表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点，且使用寿命长、材料耐久性好。

公开(公告)号：CN118335804A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410299372.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  吴嫣玲 ,  王哲涵 ,  张旭岩 ,  景旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C01B19/00 ,  C01G55/00

Abstract: 本发明公开了一种具有限域生长的二硒化铂薄膜的器件及其制备方法，属于半导体技术领域。上述器件包括电极层、限域生长的二硒化铂薄膜层和基底，所述二硒化铂薄膜的生长尺寸为2‑5μm的正方形区域。制备方法为：先在基底上预先进行图案化，通过物理气相沉积法在基底上获得特定形状的铂薄膜层并通过热辅助转换法进行硒化，最终通过图案化处理和物理气相沉积法完成制备。本发明制备方法工艺可控，得到的二硒化铂薄膜结晶度好，通过热辅助转化法限域生长得到的二硒化铂薄膜器件拥有高载流子迁移率的特征，可进行阵列化制备，具有表面平整度高，材料厚度可调，化学性质稳定等特点，且使用寿命长、材料耐久性好。

公开(公告)号：CN113109400A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110304673.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  徐骁 ,  詹科 ,  鲍晨旭 ,  陈启超 ,  王哲涵 ,  陈佳熠

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/聚吡咯的氨气传感器及其制备方法，包括基底和电极，基底上设有石墨烯/聚吡咯复合气敏材料，所述石墨烯/聚吡咯复合气敏材料包括层状石墨烯，层状石墨烯的表面原位聚合有层状聚吡咯。该方法工艺简单，将石墨烯与聚吡咯两种气敏材料以层状/层状形式复合，使气敏复合材料具有气体选择性好、气体响应度高、探测极限低、表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点，且使用寿命长、材料耐久性好。

公开(公告)号：CN117241649A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311268290.3

申请日：2023-09-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  居航 ,  陈立立 ,  朱蓓蓓 ,  邢珊珊 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  薛雨欣 ,  赵成栋 ,  陈子霖 ,  范清臣

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。

公开(公告)号：CN114836719A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210511812.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 朱蓓蓓 ,  吕鹏飞 ,  温传彬 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  徐骁 ,  唐雪昊 ,  薛烽 ,  白晶 ,  陶立

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23F1/02 ,  C23C14/58 ,  C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。