公开(公告)号：CN118335804A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410299372.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  吴嫣玲 ,  王哲涵 ,  张旭岩 ,  景旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C01B19/00 ,  C01G55/00

Abstract: 本发明公开了一种具有限域生长的二硒化铂薄膜的器件及其制备方法，属于半导体技术领域。上述器件包括电极层、限域生长的二硒化铂薄膜层和基底，所述二硒化铂薄膜的生长尺寸为2‑5μm的正方形区域。制备方法为：先在基底上预先进行图案化，通过物理气相沉积法在基底上获得特定形状的铂薄膜层并通过热辅助转换法进行硒化，最终通过图案化处理和物理气相沉积法完成制备。本发明制备方法工艺可控，得到的二硒化铂薄膜结晶度好，通过热辅助转化法限域生长得到的二硒化铂薄膜器件拥有高载流子迁移率的特征，可进行阵列化制备，具有表面平整度高，材料厚度可调，化学性质稳定等特点，且使用寿命长、材料耐久性好。