公开(公告)号：CN114836719A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210511812.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 朱蓓蓓 ,  吕鹏飞 ,  温传彬 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  徐骁 ,  唐雪昊 ,  薛烽 ,  白晶 ,  陶立

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23F1/02 ,  C23C14/58 ,  C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。

公开(公告)号：CN114836719B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202210511812.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 朱蓓蓓 ,  吕鹏飞 ,  温传彬 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  徐骁 ,  唐雪昊 ,  薛烽 ,  白晶 ,  陶立

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23F1/02 ,  C23C14/58 ,  C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料及制备方法。在Si基衬底上沉积Cu‑Ni薄膜，在Cu‑Ni薄膜上刻蚀出孔阵列，得到用于温度传感的Cu‑Ni薄膜材料。本发明所述方法解决了薄膜厚度优化和缺陷可控制备的技术问题，提升了薄膜温度传感灵敏度与热电性能。