公开(公告)号：CN117241649A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311268290.3

申请日：2023-09-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  居航 ,  陈立立 ,  朱蓓蓓 ,  邢珊珊 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  薛雨欣 ,  赵成栋 ,  陈子霖 ,  范清臣

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。