公开(公告)号：CN117276390A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311298872.6

申请日：2023-10-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  邢珊珊 ,  杜如霞 ,  林惠文 ,  陈立立 ,  周正华

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器，包括电极结构，所述电极结构沿纵向依次包括Al背电极、Si衬底、Al2O3隧穿层、PtTe2膜和Ti/Au前电极；还包括IC底座，IC底座上固定有金接线柱，金接线柱一端通过导电银胶与Al背电极电连接，金接线柱另一端通过铝丝与Ti/Au前电极电连接。本发明还公开了上述基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器的制备方法。本发明通过在PtTe2/Si光电探测器件中引入对应厚度的Al2O3层作为隧穿层，能够有效降低暗电流，实现光电流的倍增。

公开(公告)号：CN117241649A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311268290.3

申请日：2023-09-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  居航 ,  陈立立 ,  朱蓓蓓 ,  邢珊珊 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  薛雨欣 ,  赵成栋 ,  陈子霖 ,  范清臣

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。