公开(公告)号：CN118076218A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410002731.3

申请日：2024-01-02

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  周文韬 ,  景旭 ,  曾然 ,  张哲昊 ,  王鑫博 ,  陈佳熠

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼墨水的忆阻器及其制备方法和应用，包括由下往上依次形成的衬底、二硫化钼墨水薄膜和顶电极，其中，二硫化钼墨水薄膜的厚度为5‑20nm，顶电极包括Ti薄膜和覆盖于Ti薄膜上方的Pd薄膜，Ti薄膜的厚度为5‑15nm，Pd薄膜的厚度为35‑90nm。本发明制备的二硫化钼薄膜均匀致密，能够显著提高忆阻器的应用性能，模拟开关比大(104)，set和reset电压小(Vset＝2.32V，Vreset＝‑0.62V)，有望应用于神经网络计算、非易失性存储或人工智能领域中；并且，本发明制备方法工艺简单，成本低，实验器材要求低，整个流程无需高温，可大批量制备阵列化的器件。

公开(公告)号：CN117855029A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410056836.7

申请日：2024-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  刘畅 ,  景旭 ,  王哲涵

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种用于二维半导体场效应晶体管器件的氧化物转移方法，首先利用电子束蒸发镀膜或磁控溅射镀膜的方法在生长衬底上获得铜或镍等金属牺牲层，再通过电子束蒸发镀膜或原子层沉积的方法沉积所需要的氧化物，在氧化物表面旋涂PMMA后利用刻蚀液刻蚀去除金属牺牲层，释放PMMA/氧化物结构，再将其转移至目标衬底上。本发明方法可用于高介电常数氧化物的转移，具有简单便捷的操作性，且所用试剂成本较低，转移获得的氧化物面积大，形状完整，褶皱少，能够用于二维半导体场效应晶体管等器件中的范德瓦尔斯集成。

公开(公告)号：CN118335804A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410299372.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  吴嫣玲 ,  王哲涵 ,  张旭岩 ,  景旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C01B19/00 ,  C01G55/00

Abstract: 本发明公开了一种具有限域生长的二硒化铂薄膜的器件及其制备方法，属于半导体技术领域。上述器件包括电极层、限域生长的二硒化铂薄膜层和基底，所述二硒化铂薄膜的生长尺寸为2‑5μm的正方形区域。制备方法为：先在基底上预先进行图案化，通过物理气相沉积法在基底上获得特定形状的铂薄膜层并通过热辅助转换法进行硒化，最终通过图案化处理和物理气相沉积法完成制备。本发明制备方法工艺可控，得到的二硒化铂薄膜结晶度好，通过热辅助转化法限域生长得到的二硒化铂薄膜器件拥有高载流子迁移率的特征，可进行阵列化制备，具有表面平整度高，材料厚度可调，化学性质稳定等特点，且使用寿命长、材料耐久性好。

公开(公告)号：CN116544280A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310399088.8

申请日：2023-04-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  常博 ,  陈彦旭 ,  陈佳熠 ,  朱天文 ,  张雨晴 ,  景旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印转移电极的柔性器件及其制备方法。属于柔性电子领域，包括柔性衬底、介电层、二维材料、源/漏极及栅极，所述二维材料、源/漏极、栅极和介电层共同组成三端场效应晶体管器件。本发明利用纳米压印的工艺在柔性衬底上创建清洁、无键合的金属‑半导体范德华接触界面，并基于此制备出柔性二维场效应晶体管器件阵列。该方法工艺可控，金属电极种类可调，转移成功率高，表面平整度高，可大规模制备低接触电阻、高迁移率、高通态电流的柔性二维材料基晶体管器件。