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公开(公告)号：CN114883442B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210517450.2
申请日：2022-05-12
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种CsPbBr3核辐射探测器，包括CsPbBr3单晶衬底、能够提高探测稳定性的复合金属电极、PCB板基座及金属管脚，其中，所述复合金属电极由分别沉积在CsPbBr3单晶衬底相对两侧的一层高功函数金属电极和一层低功函数金属电极合金化形成，所述CsPbBr3单晶衬底包裹在复合金属电极内，所述CsPbBr3单晶衬底一侧固定在PCB板基座的阴极区；且所述复合金属电极上侧与PCB板基座的阳极区连接，所述PCB板基座的阴极区与金属管脚阴极连接，所述PCB板基座的阳极区与金属管脚阳极连接；本发明的CsPbBr3半导体核辐射探测器能在室温下探测到核信号，且在长时间工作偏压下具有较高的探测稳定特性，误差率小。
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公开(公告)号：CN111596339A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010471505.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01T1/24 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
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公开(公告)号：CN108766857B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810427948.3
申请日：2018-05-07
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。
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公开(公告)号：CN103594302A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310580290.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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公开(公告)号：CN111596339B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010471505.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01T1/24 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364797A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310313827.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种夹层结构的立体CsPbBr3中子探测器及其制备方法和应用，该探测器包括金属电极层，半导体钝化层、上下CsPbBr3吸收层、夹层式中子转换层、绝缘片、PCB印刷电路板，所述夹层式中子转换层作为中间层被上下CsPbBr3吸收层夹叠，有效增加了中子转换材料和CsPbBr3吸收层的接触面积，当中子入射中子转换层发生核反应产生次级粒子，次级粒子可被上层CsPbBr3吸收层或下层CsPbBr3吸收层吸收并产生电子‑空穴对，大大降低了次级粒子的损耗，在工作偏压下电子‑空穴对被金属电极层收集产生探测信号，有效提高中子探测器的探测效率。
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公开(公告)号：CN109449068A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811248124.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，在该衬底层上顺序生长Al组分由低到高呈线性递增的n型变带隙AlGaAs电子提供层、n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层、Al组分由高到低呈线性递减至0的p型变带隙AlGaAs电子发射层、p型GaAs电子发射层以及As保护层；在变带隙AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2绝缘层；刻蚀得到变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层，再制备Ti/Pt/Au电子注入层电极；最后Cs/O激活，在变带隙AlGaAs阵列发射层上沉积Cs-O激活层，形成负电子亲和势电注入阴极。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场，实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。
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公开(公告)号：CN106546378B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201611107700.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01L21/12
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO2/Si、Si3N4/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。
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公开(公告)号：CN103594302B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310580290.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光电阴极，GaAs纳米线材料激活成光电阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光电阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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公开(公告)号：CN104752117A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510093090.8
申请日：2015-03-03
Applicant: 东华理工大学
CPC classification number: H01J1/34 , H01J9/12 , H01J2201/34
Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs-O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，从而扩展变带隙AlGaAs/GaAs材料应用；纳米线阵列结构提高光电发射效率。
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