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公开(公告)号：CN106637404B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201611107754.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO2/Si、Si3N4/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长。实验基片生长面经过严格的抛光处理，将反应源五氧化二钒粉末均匀的放置在石英舟底部，再将实验基片放入到石英舟里，基片生长面朝下放置。在管式炉真空环境中通过控制升温速率、温度、气压以及气体流量大小和反应时间制备得到大面积单晶二氧化钒薄膜。采用这种方法制备出来的大面积单晶二氧化钒薄膜比一般的二氧化钒薄膜其性能优异很多，而且工艺简单、成膜质量高；制备出的单晶二氧化钒薄膜绝缘体‑金属相变后，电导率变化幅度达到4～5个数量级，是一种单晶材料的薄膜，在光电、红外、气体传感等方面具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106546378B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201611107700.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01L21/12
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO2/Si、Si3N4/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。
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公开(公告)号：CN106637404A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611107754.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO2/Si、Si3N4/Si、硅、石英和蓝宝石等实验基片上，采用气‑固方式生长。实验基片生长面经过严格的抛光处理，将反应源五氧化二钒粉末均匀的放置在石英舟底部，再将实验基片放入到石英舟里，基片生长面朝下放置。在管式炉真空环境中通过控制升温速率、温度、气压以及气体流量大小和反应时间制备得到大面积单晶二氧化钒薄膜。采用这种方法制备出来的大面积单晶二氧化钒薄膜比一般的二氧化钒薄膜其性能优异很多，而且工艺简单、成膜质量高；制备出的单晶二氧化钒薄膜绝缘体‑金属相变后，电导率变化幅度达到4～5个数量级，是一种单晶材料的薄膜，在光电、红外、气体传感等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106546378A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611107700.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01L21/12
CPC classification number: G01L21/12
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO2/Si、Si3N4/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。
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公开(公告)号：CN206163528U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621287778.6
申请日：2016-11-29
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型涉及一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路连接，恒温器的控制系统及放大电路分别与微控制器连接。本实用新型二氧化钒薄膜忆阻存储器，是利用相变特性的一种高密度存储器件，可同时实现多位信息的存储；二氧化钒薄膜忆阻器所用的薄膜制备工艺成熟与当前集成电路工艺兼容性较好，降低了成本，有利于该忆阻器的实际应用。
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公开(公告)号：CN206177794U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201621287780.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体材料少子寿命测量装置，其特征在于，它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器，光源位于测量台正上方，测量台连接有恒流源和高速放大器；高速放大器一方面与片内A/D转换连接，另一方面高速放大器与微处理器之间还连接有两个比较器，微处理器通过两个D/A转换模块分别与两个比较器的输入端连接，其中一个比较器用于控制微处理器内部计时器的启动，另一个比较器用于计时器的停止，所述恒流源、显示器和控制器分别与微处理器连接。本实用新型，测试过程与样品无需接触，设备结构简单、成本低廉、使用方便，且很容易实现半导体材料短寿命测量。
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