公开(公告)号：CN104465264A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410610300.1

申请日：2014-11-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘雨昊 ,  魏合林 ,  朱大明 ,  任宽 ,  袁利利

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01J1/34 ,  C01B32/182 ,  C01B2204/22 ,  C01B2204/26 ,  H01J9/12 ,  H01J2201/34

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度，从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。

公开(公告)号：CN104752117A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J2201/34

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs-O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，从而扩展变带隙AlGaAs/GaAs材料应用；纳米线阵列结构提高光电发射效率。