一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109449068B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201811248124.6

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极,以n型GaAs作为衬底层,首先在该衬底层上顺序生长Al组分由0开始呈线性递增和n型掺杂浓度按指数递减的n型变带隙AlGaAs电子提供层,再依次生长n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层,随后生长Al组分由高到低呈线性递减至0和p型掺杂浓度按指数递增的p型变带隙AlGaAs电子发射层,最后依次生长p型GaAs电子发射层、As保护层。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场,实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。

    一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109449068A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811248124.6

    申请日:2018-10-25

    CPC classification number: H01J9/02 H01J9/12 H01J29/04

    Abstract: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极,以n型GaAs作为衬底层,在该衬底层上顺序生长Al组分由低到高呈线性递增的n型变带隙AlGaAs电子提供层、n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层、Al组分由高到低呈线性递减至0的p型变带隙AlGaAs电子发射层、p型GaAs电子发射层以及As保护层;在变带隙AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2绝缘层;刻蚀得到变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层,再制备Ti/Pt/Au电子注入层电极;最后Cs/O激活,在变带隙AlGaAs阵列发射层上沉积Cs-O激活层,形成负电子亲和势电注入阴极。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场,实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。

    放射性预警警示装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204575858U

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201520265328.6

    申请日:2015-04-29

    Abstract: 本实用新型提供一种易于观察、结构简单的放射性预警警示装置,它包括增感屏;在所述增感屏的正面表面上设置有对比层和监测层;所述监测层包括至少一个在激发状态下发出对应颜色的监测色块;所述对比层由至少一个对比色块组成,所述对比色块为有色块体,本实用新型具有造成本低,响应迅速,可大范围地推广并应用到核电站整个生产区域等诸多优点。

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