公开(公告)号：CN104752117B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，提高光电发射效率，从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。

公开(公告)号：CN104752117A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J2201/34

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs-O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，从而扩展变带隙AlGaAs/GaAs材料应用；纳米线阵列结构提高光电发射效率。