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公开(公告)号：CN112462412B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011174878.9
申请日：2020-10-28
IPC: G01T3/08 , H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112490319A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011353730.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaAs刻蚀层上周期性交替生长多层低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层与高Al组分AlGaAs刻蚀层，且最后在顶层外延生长的一层为低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层，再利用HF酸腐蚀高Al组分AlGaAs刻蚀层以形成微沟槽；再在微沟槽中沉积肖特基电极，在GaAs衬底层沉积欧姆电极，最后在微沟槽形成有中子转换层，刻蚀的微沟槽质量显著，有利于探测器中子探测效率的提升。
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公开(公告)号：CN108796447B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810533803.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，包含以下步骤：将GaN衬底进行表面处理；在GaN的正表面沉积Au，形成正面Au电极；利用光刻工艺和湿法腐蚀获得凹坑型GaN图形化Au电极；将凹坑型GaN图形化Au电极放置于真空镀膜设备中并加热GaN衬底；前期蒸镀采用低速率蒸镀6LiF，后期采用高速率蒸镀满足厚度要求的6LiF中子转换层。本发明制备的GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层，具有制备转换层的面积大和厚膜，晶体质量好，不脱落，中子探测效率高和灵敏度高等优点，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106546378A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611107700.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01L21/12
CPC classification number: G01L21/12
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO2/Si、Si3N4/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。
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公开(公告)号：CN111596339A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010471505.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01T1/24 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108766857B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810427948.3
申请日：2018-05-07
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。
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公开(公告)号：CN106684177B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710095586.8
申请日：2017-02-22
Applicant: 东华理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/117 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种p‑GaN/i‑GaN/n‑BN中子探测器，该中子探测器由Al2O3衬底层、n‑BN层、i‑GaN层、p‑GaN层组成。其制备方法如下：在一定厚度的Al2O3衬底上，利用金属有机物化学气相沉积技术先生长n‑BN，而后生长未掺杂的i‑GaN，最后生长p‑GaN，再用感应耦合等离子体刻蚀出n‑BN，最后用电子束蒸发在n‑BN和p‑GaN层分别蒸镀欧姆接触金属电极，完成中子探测器的制作。本发明制备工艺简单、无需单独制备中子转换层，能量分辨率高、探测效率高且结构简单，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103594302A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310580290.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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公开(公告)号：CN114063140B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111352943.7
申请日：2021-11-16
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明公开一种消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法，包含以下步骤：将金刚石体材料进行化学清洗和等离子表面处理；在金刚石体材料正表面生长氮化硅钝化层；利用高真空设备在金刚石正表面和背表面分别制备欧姆接触电极和极化电极，背面极化电极必须在金刚石背面的正中心位置；在金刚石正表面的欧姆接触电极和极化电极之间是氮化硅钝化隔离层；将极化电极接到直流小电压电源的两端；将欧姆接触电极接到高压电源两端。本发明制备的消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法，具有高的(56)对比文件C. B. Shahi et al..“A new polarizedneutron interferometry facility at theNCNR”《.Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research Section A: Accelerators,Spectrometers, Detectors and AssociatedEquipment》.2016,全文.许平.CVD金刚石膜辐射探测器的研制与性能研究《.中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2021,正文第[41-42、48、86-88、115-116]段.王宇飞 等.氟化富勒烯的结构、性质及其应用研究进展《.有机化学》.2018,全文.
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公开(公告)号：CN111596339B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010471505.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 东华理工大学
IPC: G01T1/24 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
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