公开(公告)号：CN102306600B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110202343.2

申请日：2011-07-19

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  常本康 ,  张益军 ,  金解云 ,  邓文娟 ,  彭新村

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的AlxGa1-xAs缓冲层内，生长从AlxGa1-xAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变带隙缓冲层，构建从AlxGa1-xAs到GaAs的内建电场，在内建电场的作用下，AlxGa1-xAs层中产生的光电子以扩散加漂移的方式输运到发射层，从而提高短波光子的光电发射量子效率，达到蓝延伸的目的。

公开(公告)号：CN102306600A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110202343.2

申请日：2011-07-19

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  常本康 ,  张益军 ,  金解云 ,  邓文娟 ,  彭新村

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的AlxGa1-xAs缓冲层内，生长从AlxGa1-xAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变带隙缓冲层，构建从AlxGa1-xAs到GaAs的内建电场，在内建电场的作用下，AlxGa1-xAs层中产生的光电子以扩散加漂移的方式输运到发射层，从而提高短波光子的光电发射量子效率，达到蓝延伸的目的。

公开(公告)号：CN103594302B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310580290.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  郭栋 ,  朱志甫 ,  彭新村 ,  邓文娟 ,  王炜路 ,  冯林 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光电阴极，GaAs纳米线材料激活成光电阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光电阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。

公开(公告)号：CN104752117A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J2201/34

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs-O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，从而扩展变带隙AlGaAs/GaAs材料应用；纳米线阵列结构提高光电发射效率。

公开(公告)号：CN104752117B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，提高光电发射效率，从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。

公开(公告)号：CN103594302A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310580290.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  郭栋 ,  朱志甫 ,  彭新村 ,  邓文娟 ,  王炜路 ,  冯林 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。