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公开(公告)号：CN105321804B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN105321804A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN106847729B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610862566.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN108028193B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201680056032.0
申请日：2016-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。
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公开(公告)号：CN110265325A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910477249.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107086172A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/67023 , H01L21/67034 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN106847729A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610862566.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN110265325B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910477249.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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公开(公告)号：CN107086172B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN1890780A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036496.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/67745 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67276
Abstract: 本发明的目的是在具有检查部的涂布显影处理装置中，缩短进行准备所需要的时间、降低成本，进而提高检查部的运行率。在本发明中，将涂布显影处理装置的控制程序设计成能够独立实施以下流程：将基板从晶片盒工作站送入处理工作站，在处理工作站和曝光装置中进行处理之后送回晶片盒工作站的处理流程；以及将基板从晶片盒工作站送入检查工作站，进行检查之后送回晶片盒工作站的检查流程。在进行涂布显影处理装置的准备工作时，能够实施检查流程和处理流程，同时进行检查工作站的检查单元的评价作业以及处理工作站的处理单元的调整作业。检查工作站空闲时，能够从外部将基板送入晶片盒工作站对其进行检查。
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