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公开(公告)号：CN110060924B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN109423625A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810964713.8
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/24 , C23C16/34
Abstract: 本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜。
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公开(公告)号：CN103567169B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN104637784A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104425318A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431101.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67155
Abstract: 本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收纳工序，在该收纳工序中，将因上述挥发成分挥发而使上述处理液固化或硬化后的基板收纳于输送容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103567169A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN120060831A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411651901.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置，在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬突的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，使晶片(W)的温度至少高于200℃，将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为3％以上来执行成膜处理。
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公开(公告)号：CN109423625B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810964713.8
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/24 , C23C16/34
Abstract: 本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜。
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公开(公告)号：CN110060924A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104425318B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410431101.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收纳工序，在该收纳工序中，将因上述挥发成分挥发而使上述处理液固化或硬化后的基板收纳于输送容器。
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