公开(公告)号：CN105321804B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN105321804A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN104637784B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201410641257.5

申请日：2014-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  田中晓 ,  金子都 ,  田内启士 ,  折居武彦 ,  菅野至

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。

公开(公告)号：CN105321855B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN105321855A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN110265325A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN110060924A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910202521.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子都 ,  田内启士 ,  折居武彦 ,  菅野至 ,  相原明德 ,  田中晓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。

公开(公告)号：CN110060924B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201910202521.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子都 ,  田内启士 ,  折居武彦 ,  菅野至 ,  相原明德 ,  田中晓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。

公开(公告)号：CN110265325B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN107437517B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201710375222.5

申请日：2017-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 关口贤治 ,  菅野至 ,  相原明德 ,  立花康三

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。