公开(公告)号：CN101899649A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910253445.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。

公开(公告)号：CN101213320A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024112.4

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供形成比现有技术中电阻率更小，在与基底的阻挡层的临界部分氟浓度更低，与阻挡层的密接性更高的钨膜的方法。具有向处理容器14内的晶片M供给含硅气体的工序、在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

公开(公告)号：CN101899649B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910253445.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。