公开(公告)号：CN116097402A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180057563.2

申请日：2021-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤坂泰志

IPC: H01L21/28

Abstract: 半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进行加热的步骤。杂质添加区域含有硅。第一金属层含有钽。第二金属层含有钛。通过进行加热的步骤，在杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。

公开(公告)号：CN105369213A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510490838.8

申请日：2015-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤坂泰志 ,  堀田隼史 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45534

Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法。在使用WCl6气体作为原料气体并通过顺序供给气体而形成钨膜的情况下，以足够的堆积速度将钨膜成膜。对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜。在供给WCl6气体时同时供给Cl2气体或者同时供给还原气体。

公开(公告)号：CN102007591A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201080001352.9

申请日：2010-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有门经敏 ,  贝塚考亘 ,  赤坂泰志 ,  荆凤德

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明通过提供一种电容器解决上述课题，所述电容器的特征在于，具有：由具有导电性的金属或金属化合物组成的下部电极层；在所述下部电极层上形成的由ZrO2组成的第一介电体膜；在所述第一介电体膜上形成的由具有含Ti的金属氧化物的介电体组成的第二介电体膜；以及，在所述第二介电体膜上形成的上部电极层。